[發明專利]用于濺射腔室的工藝套件組件

無效

• 申請號: 201110036072.8
• 申請日: 2006-11-24
• 公開（公告）號: CN102086509A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發明（設計）人: 艾倫·亞歷山大·里奇;唐尼·揚;揚·理查德·洪;凱瑟琳·A·沙伊貝爾;烏梅什·凱爾卡
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種設置在濺射腔室中襯底支架周圍的沉積環，所述襯底支架包括具有平面的襯底承載表面和在所述襯底的懸伸邊之前終止的外圍側壁，所述沉積環包括：

(a)環形帶，其具有圍繞所述支架的所述外圍壁的暴露表面，并且所述環形帶包括：

(i)沿所述環形帶橫向延伸的內唇緣，所述內唇緣基本上平行于所述支架的外圍壁并在所述支架的所述懸伸邊下面終止；

(ii)凸起的脊，其基本上平行于所述襯底支架的所述承載表面的所述平面；

(iii)在所述內唇緣和所述凸起的脊之間的內開口溝道，所述內開口溝道至少部分在所述襯底的所述懸伸邊的下面延伸；以及

(iv)所述凸起的脊的徑向向外的壁架。

2.根據權利要求1所述的環，其特征在于，所述環形帶的所述暴露表面包括150±50微英寸的表面平均粗糙度。

3.根據權利要求1所述的環，其特征在于，所述環形帶由氧化鋁組成。

4.根據權利要求3所述的環，其特征在于，所述氧化鋁具有至少99.5％的純度。

5.根據權利要求1所述的環，其特征在于，所述環形帶的所述暴露表面是顆粒轟擊表面。

6.一種包括根據權利要求1所述的沉積環并且還包括覆蓋環的環組件，其特征在于，所述沉積環的環形帶的凸起的脊和與所述覆蓋環間隔設置并覆蓋在所述覆蓋環的下表面上限定阻止等離子體物質通過狹窄間隙傳播的所述間隙。

7.一種設置在濺射腔室中襯底支架周圍的覆蓋環，所述襯底支架包括具有平面的襯底承載表面，所述覆蓋環包括：

(i)環形板，其包括設置在所述襯底支架周圍表面上的基腳，以及基本上平行于所述襯底支架的所述承載表面的暴露表面；以及

(ii)第一和第二柱狀壁，其從所述環形板向下延伸，所述第一柱狀壁具有比所述第二柱狀壁的第二長度至少小10％的第一長度。

8.根據權利要求7所述的覆蓋環，其特征在于，所述環形板的所述暴露表面包括175±75微英寸的表面平均粗糙度。

9.根據權利要求7所述的覆蓋環，其特征在于，所述環形板由不銹鋼組成。

10.根據權利要求7所述的覆蓋環，其特征在于，所述環形板的所述暴露表面是顆粒轟擊表面。

11.一種包括根據權利要求7所述的覆蓋環并且還包括沉積環的環組件，其特征在于，所述覆蓋環的所述基腳放置在所述沉積環的壁架上，使得所述覆蓋環至少部分覆蓋所述沉積環。

12.根據權利要求11所述的環組件，其特征在于，所述覆蓋環的所述環形板和所述沉積環的凸起的脊限定阻止等離子體物質通過狹窄間隙傳播的所述間隙。

13.一種放置在濺射腔室中襯底支架周圍的環組件，所述襯底支架包括具有平面的襯底承載表面和在所述襯底的懸伸邊之前終止的外圍壁，所述環組件包括：

(a)沉積環，其包括具有圍繞所述支架的外圍壁的暴露表面的環形帶，所述環形帶包括：

(i)沿所述環形帶橫向延伸的內唇緣，所述內唇緣基本上平行于所述支架的外圍壁并在所述支架的所述懸伸邊下面終止；

(ii)凸起的脊，其基本上平行于所述襯底支架的所述承載表面的所述平面；

(iii)在所述內唇緣和所述凸起的脊之間的內開口溝道，所述內開口溝道至少部分在所述襯底的懸伸邊的下面延伸；以及

(iv)所述凸起的脊的徑向向外的壁架；以及

(b)覆蓋環，該覆蓋環至少部分覆蓋所述沉積環，所述覆蓋環包括：

(i)環形板，其包括放置在所述襯底支架周圍的表面上的基腳，以及基本上平行于所述襯底支架的所述承載表面的暴露表面；以及

(ii)第一和第二柱狀壁，其沿所述環形板向下延伸，所述第一柱狀壁具有比所述第二柱狀壁的第二長度至少小10％的第一長度。

14.根據權利要求13所述的環組件，其特征在于，如下至少其中之一：

(i)所述沉積環的所述暴露表面包括150±50微英寸的表面平均粗糙度；或

(ii)所述沉積板的所述暴露表面包括175±75微英寸的表面平均粗糙度。