[發(fā)明專利]液晶顯示器及其驅(qū)動方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110036064.3
• 申請日: 2011-02-09
• 公開（公告）號: CN102087843A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡育錚;李國賢;呂昭良;郭峻廷
• 申請（專利權(quán)）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種液晶顯示器，且特別關(guān)于一種減少功耗并提升性能的液晶顯示器及其驅(qū)動方法。

背景技術(shù)

液晶顯示器設(shè)備包括一液晶面板，由液晶胞與像素組件形成，該像素組件與相對應(yīng)的液晶胞結(jié)合且具有一液晶電容器以及一儲存電容器；一薄膜晶體管，電性耦接至該液晶電容器及儲存電容器。這些像素組件以矩陣方式排列，具有大量像素列與像素行。典型地，柵極信號依序提供給像素列用于依序逐列打開該像素組件。當提供給一像素列一柵極信號，用以打開該像素列的像素組件的相應(yīng)薄膜晶體管時，該像素列的源極信號(也就是影像信號)亦同時提供至所述像素行，以便為該像素列的對應(yīng)的液晶電容器以及儲存電容器充電，從而校正與該像素列相關(guān)的對應(yīng)液晶胞的方位，以便控制其光線傳輸。對所有像素列重復(fù)上述過程，則所有的像素組件均被提供了影像信號的對應(yīng)源極信號，從而可顯示該影像信號。

眾所周知，當該液晶層上有一個足夠高伏特的電壓存在較長時間時，液晶分子的光學傳輸特性會發(fā)生變化。該種變化可能是永久性的，導致該液晶顯示器的顯示質(zhì)量發(fā)生可不逆轉(zhuǎn)的退化。為了阻止所述液晶分子的退化，液晶顯示器通常通過交替改變供給該液晶胞的電壓極性的技術(shù)予以驅(qū)動。這些技術(shù)可包括轉(zhuǎn)換方案(inversion?schemes)，如幀轉(zhuǎn)換(frame?inversion)、列轉(zhuǎn)換(row?inversion)、行轉(zhuǎn)換(column?inversion)及點轉(zhuǎn)換(dot?inversion)。典型地，盡管采取轉(zhuǎn)換方案，顯示較高質(zhì)量的影像仍會因為頻繁的極性轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生更大功率消耗。所述液晶顯示設(shè)備，尤其薄膜晶體管液晶顯示設(shè)備，會消耗大量功率。

為達成減少公知的液晶顯示器的功率消耗所采取的方法，例如像素的半源驅(qū)動結(jié)構(gòu)，如圖7(b)-圖7(e)所示，公開一種采用HSD2的方法。圖7(a)分別繪示了依序提供給該液晶顯示器的柵極線G₁與G₂的柵極信號g1與g2的波形。圖7(b)-圖7(f)繪示由兩條柵極線G1與G2以及兩條數(shù)據(jù)線D1與D2所界定的子像素P1與P2相應(yīng)的充電及保持(holding)過程。對于此種方法，在時間順序(狀態(tài))t0，t1，...，以及t4，子像素P2有兩次饋通(feed-through)，但子像素P1僅有一次饋通。相對地，充電至該子像素P1與P2的電壓值也不同。這種子像素P1與P2上不均勻的電壓則導致幕拉效應(yīng)(mura?effect)，即顯示影像飽和度上的缺陷。

因此，有必要提供一種本領(lǐng)域中尚未出現(xiàn)的，可解決上述不足與缺陷的液晶顯示器以及其驅(qū)動方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一方面關(guān)于一種液晶顯示器。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，該液晶顯示器包括多條柵極線{G_n}，n＝1，2，...，N，N為正整數(shù)，沿一列(row)方向空間排列；多條數(shù)據(jù)線{D_m}，m＝1，2，...，M，M為正整數(shù)，穿過該多條柵極線{G_n}沿垂直該列方向的行(column)方向空間排列；以及多個像素{P_n，m}，以矩陣方式空間排列。

每個像素P_n，m均界定于相鄰兩條柵極線G_n及G_n+1，以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線D_m及D_m+1之間，且包括第一子像素電極；第二子像素電極；第一晶體管，具有一柵極，電性耦接至該柵極線G_n+1，一源極以及一漏極電性耦接至該第一子像素電極；第二晶體管，具有一柵極，電性耦接至該柵極線G_n，一源極電性耦接至該第一晶體管的源極，以及一漏極電性耦接至該第二子像素電極；及第三晶體管，具有一柵極，電性耦接至該柵極線G_n+2，一源極電性耦接至該兩相鄰數(shù)據(jù)線D_m及D_m+1中的一者，以及一漏極電性耦接至該第一晶體管與第二晶體管的源極。在本發(fā)明的一實施例中，該像素P_n，m的第三晶體管的源極，當n為一正奇整數(shù)時，電性耦接至該數(shù)據(jù)線D_m；或當n為一正偶整數(shù)時，電性耦接至該數(shù)據(jù)線D_m+1。