[發明專利]熱處理裝置及其方法和涂布顯影處理系統及其方法

無效

• 申請號: 201110035368.8
• 申請日: 2011-01-31
• 公開（公告）號: CN102169812A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 田所真任;近藤良弘;齊藤貴
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66;G03F7/38
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種熱處理裝置，在對基板上形成有抗蝕劑膜的所述基板進行曝光后，為了通過進行顯影處理在所述基板上形成抗蝕劑圖案，在進行顯影處理前對曝光后的所述基板進行熱處理，所述熱處理裝置的特征在于，包括：

加熱部，其具有呈二維排列的多個加熱元件，對曝光后的所述基板進行熱處理；

載置部，其設置在所述加熱部的上方，載置所述基板；和

控制部，其在利用所述加熱部對一個基板進行熱處理時，基于溫度修正值對所述加熱部的設定溫度進行修正，基于修正后的所述設定溫度，對所述加熱部進行控制，該溫度修正值是根據在預先由所述加熱部進行熱處理后通過進行顯影處理而形成有所述抗蝕劑圖案的其他基板的所述抗蝕劑圖案的線寬的測定值求得的。

2.如權利要求1所述的熱處理裝置，其特征在于：

所述加熱元件是發射紅外線的發光元件，

所述控制部，在對所述一個基板進行熱處理時，對從各個所述發光元件到達所述基板的光量進行控制。

3.如權利要求2所述的熱處理裝置，其特征在于：

所述發光元件是發光二極管。

4.如權利要求2或3所述的熱處理裝置，其特征在于：

所述加熱部具有多個液晶元件，該多個液晶元件在所述多個發光元件與所述基板之間呈二維排列，透過或遮斷所述發光元件發射的紅外線，

所述控制部，在對所述一個基板進行熱處理時，對所述紅外線透過各個所述液晶元件的透過率進行控制。

5.如權利要求1～3中任一項所述的熱處理裝置，其特征在于：

所述載置部具有多個突起，該多個突起從所述加熱部向上方突出地設置，將被載置的所述基板保持在從所述加熱部的上端起向上方離開規定的距離的位置。

6.如權利要求5所述的熱處理裝置，其特征在于：

具有溫度傳感器，該溫度傳感器設置于所述多個突起，對被載置的所述基板的溫度進行測定。

7.如權利要求1～3中任一項所述的熱處理裝置，其特征在于：

具有冷卻部，該冷卻部設置在所述加熱部的下方，對所述基板或所述加熱部進行冷卻。

8.如權利要求1～3中任一項所述的熱處理裝置，其特征在于：

所述基板以多個芯片排列在所述基板上的方式形成，

所述多個加熱元件的排列間隔，比所述多個芯片的排列間隔小。

9.一種涂布顯影處理系統，其在基板上進行抗蝕劑的涂布處理，對所述基板上經過了所述抗蝕劑的涂布處理后的所述基板進行熱處理，由此在所述基板上形成抗蝕劑膜，在對形成有所述抗蝕劑膜的所述基板進行曝光后，通過進行顯影處理，在所述基板上形成抗蝕劑圖案，所述涂布顯影處理系統的特征在于，包括：

在對曝光后的所述基板進行顯影處理前，對所述基板進行熱處理的權利要求1～權利要求8中任一項所述的熱處理裝置；和

對所述抗蝕劑圖案的線寬進行測定的線寬測定裝置，

所述控制部，其在利用所述加熱部對所述一個基板進行熱處理時，基于所述溫度修正值對所述設定溫度進行修正，所述溫度修正值是基于預先由所述線寬測定裝置測定出的所述其他基板的所述線寬的測定值而求得的。

10.如權利要求9所述的涂布顯影處理系統，其特征在于：

所述基板以多個芯片排列在所述基板上的方式形成，

具有對準裝置，在將曝光后的所述基板載置于所述載置部時該對準裝置進行對位，以使所述多個芯片排列的方向與所述多個加熱元件排列的方向大致平行。

11.一種熱處理方法，在對基板上形成有抗蝕劑膜的所述基板進行曝光后，為了通過進行顯影處理在所述基板上形成抗蝕劑圖案，在進行顯影處理前利用熱處理裝置對曝光后的所述基板進行熱處理，該熱處理裝置包括：對基板進行熱處理的具有呈二維排列的多個加熱元件的加熱部；和設置在所述加熱部的上方的載置所述基板的載置部，所述熱處理方法的特征在于：

具有控制工序，在利用所述加熱部對一個基板進行熱處理時，基于溫度修正值對所述加熱部的設定溫度進行修正，基于修正后的所述設定溫度，對所述加熱部進行控制，該溫度修正值是根據在預先由所述加熱部進行熱處理后通過進行顯影處理而形成有所述抗蝕劑圖案的其他基板的所述抗蝕劑圖案的線寬的測定值求出的。