[發明專利]去激活和激活電子物品監控系統(EAS)設備的方法和EAS設備

有效

• 申請號: 201110035104.2
• 申請日: 2011-01-30
• 公開（公告）號: CN102194298A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 弗朗茨·阿姆特曼;馬里奧·斯泰恩爾;海因茨·艾林格
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: G08B13/24
• 分類號: G08B13/24
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

技術領域

本發明涉及電子物品監控系統設備。進一步涉及激活和去激活電子物品監控設備的方法。

背景技術

廣泛使用類型的電子物品監控系統(EAS)基于RF技術，并利用工作于約8.2MHz電磁頻譜的專用部分的諧振電路。當激活的EAS標記(下文也稱之為標簽)經過包括適當天線的門時，諧振電路改變了磁場，因此可以檢測到EAS標記的存在。

例如，這樣的技術在通常用于將EAS標記附著在零售商店將要出售的物品上。當物品在售賣終端(POS)處出售時，可以去激活EAS標記，于是其允許顧客攜帶仍附著EAS標記的物品通過位于零售商店的出口附近的門，而不會觸發警報。顧客在EAS標記未被去激活時任何試圖通過門的嘗試將導致警報觸發，從而提醒零售商可能嘗試偷竊物品的行為。

與通信站進行無接觸通信的應答器(也被稱作RFID)還被廣泛使用在零售物品上。RFID標記通常粘貼在大范圍的零售產品上，并且可用于后勤目的，如項目跟蹤和存貨控制。然而，與8.2MHz的主要EAS頻率相比，不同的頻帶分配給了RFID應用；這些頻率包括125kHz、13.56MHz、865MHz(適用于歐洲，在美國等同頻帶為約920MHz)和2.45GHz。

去激活EAS標記的常規方法是產生高磁場，該高磁場“燒斷”諧振電路內的保險絲。諧振電路典型地因此而開路，并且不再能夠改變門內的磁場。備選地且更頻繁地，例如可以通過燒斷例如兩個電容板之間的電介質的絕緣體而造成短路。然而，由于這些去激活依賴于諧振電路內的機械破壞，其并不可靠，并且EAS標記在燒斷的保險絲的末端接觸時可重新激活。

此外，去激活(至少有意地)是不可逆的，在這種情況下一旦去激活EAS標記，則不能重新激活，因此不可能重新使用EAS標記。

對于EAS標記，存在這樣的需求，使其不會遭遇或只在很小程度上遭遇上述缺點。

發明內容

本發明的一個目的是，提供一種EAS，不會遭遇或只在有限程度內遭遇上述缺點。

根據本發明的第一方面，提供了一種用于電子物品監控系統的設備，所述設備包括與通信站進行無接觸通信的應答器和諧振電路，其中諧振電路被配置為呈現第一諧振特性或第二諧振特性，并且所述設備被配置為響應于應答器的第一信號，從第一諧振特性和第二諧振特性中的一個改變到第一諧振特性和第二諧振特性中的另一個。

在實施例中，諧振電路包括電開關，所述電開關具有第一電阻和比第一電阻高的第二電阻，當開關具有第一電阻時諧振電路呈現第一諧振特性，以及當開關具有第二電阻時諧振電路呈現第二諧振特性。

優選地，電開關包括相變存儲器材料，所述相變存儲器材料具有相對晶體的第一狀態和相對非晶體的第二狀態，并且當相變存儲器材料處于第一狀態時電開關呈現第一電阻，以及當相變存儲器材料處于第二狀態時電開關呈現第二電阻。

在實施例中，相對于第一諧振特性，第二諧振特性具有更低的Q因子和不同的諧振頻率中的至少一個，從而損壞電子物品監控系統設備的使用。

在實施例中，設備進一步被配置為響應于應答器的第二信號，從第一諧振特性和第二諧振特性中的另一個改變到第一諧振特性和第二諧振特性中的一個。

在實施例中，第一信號和第二信號的每一個包括通過電子開關且具有相應上升時間和相應下降時間的電流脈沖，并且第二信號的電流脈沖的下降時間相對于第一信號的電流脈沖的下降時間較短。

在實施例中，第二信號的電流脈沖的下降時間小于10ns。在實施例中，第一信號的電流脈沖的下降時間大于100ns。

在實施例中，第二信號的電流脈沖的峰值比第一信號的電流脈沖的峰值大。

優選地，至少一個諧振是約8.2MHz，并且應答器可工作在125kHz、13.56MHz、865MHz、920MHz和2.45GHz之一。

根據本發明的另一方面，提供了一種激活或去激活用于電子物品監控系統的設備的方法，所述設備具有諧振電路和與通信站進行無接觸通信的應答器，所述方法包括：響應于來自通信站的指令，應答器向諧振電路提供相應激活信號或去激活信號，并且諧振電路響應于信號分別進行調諧或去調諧。

在實施例中，分別進行調諧或去調諧包括改變相變存儲器材料的電阻，所述相變存儲器材料包括諧振電路的至少一部分。

在實施例中，提供相應激活或去激活信號包括提供第一電流脈沖到相變存儲器材料，第一電流脈沖具有足夠高的峰值和足夠長的下降時間以允許相變存儲器材料的重結晶。