[發明專利]襯底的拋光裝置及其拋光的襯底有效
| 申請號: | 201110034139.4 | 申請日: | 2011-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN102172885A | 公開(公告)日: | 2011-09-07 |
| 發明(設計)人: | 王冰;李海淼;周鐵軍;劉建志;李雪峰;劉文森 | 申請(專利權)人: | 北京通美晶體技術有限公司 |
| 主分類號: | B24B39/06 | 分類號: | B24B39/06;H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 101113 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 拋光 裝置 及其 | ||
1.一種襯底的拋光裝置,其特征在于,所述拋光裝置包括:
分別由電動機驅動旋轉的中心齒圈(3)和外齒圈(4);
在中心齒圈(3)帶動下旋轉并用于對襯底(7)施加壓力(6)的環形上盤(1);
由電動機驅動旋轉并用于承載襯底(7)的環形下盤(2);
粘貼到下盤(2)上表面的下盤拋光布(8-2),用于對襯底(7)進行拋光;
平放在貼有下盤拋光布(8-2)的下盤(2)上表面的一個或多個圓形游星輪(5),所述游星輪(5)在中心齒圈(3)和外齒圈(4)的帶動下旋轉,具有用于放置襯底(7)的一個或多個孔;以及
布置在下盤拋光布(8-2)與下盤(2)之間具有預定均勻厚度的第一環形背墊(9),所述第一環形背墊(9)的內沿半徑大于所述下盤(2)的內沿半徑,所述第一環形背墊(9)的外沿半徑小于所述下盤(2)的外沿半徑,用于使襯底(7)中心和邊緣的化學機械拋光作用達到平衡。
2.根據權利要求1所述的拋光裝置,其特征在于,所述拋光裝置進一步包括:粘貼到上盤(1)下表面的上盤拋光布(8-1),所述上盤拋光布(8-1)和下盤拋光布(8-2)一起用于對襯底進行拋光。
3.一種襯底的拋光裝置,其特征在于,所述拋光裝置包括:
分別由電動機驅動旋轉的中心齒圈(3)和外齒圈(4);
在中心齒圈(3)帶動下旋轉并用于對襯底(7)施加壓力(6)的環形上盤(1);
由電動機驅動旋轉并用于承載襯底(7)的環形下盤(2);
粘貼到上盤(1)下表面的上盤拋光布(8-1)和粘貼到下盤(2)上表面的下盤拋光布(8-2),所述上盤拋光布(8-1)和下盤拋光布(8-2)一起用于對襯底進行拋光;
平放在貼有下盤拋光布(8-2)的下盤(2)上表面的一個或多個圓形游星輪(5),所述游星輪(5)在中心齒圈(3)和外齒圈(4)的帶動下旋轉,具有用于放置襯底(7)的一個或多個孔;以及
布置在上盤拋光布(8-1)與上盤(1)之間具有預定均勻厚度的第二環形背墊,所述第二環形背墊的內沿半徑大于所述上盤(1)的內沿半徑,所述第二環形背墊的外沿半徑小于所述上盤(1)的外沿半徑,用于使襯底(7)中心和邊緣的化學機械拋光作用達到平衡。
4.根據權利要求3所述的拋光裝置,其特征在于,所述拋光裝置進一步包括:
布置在下盤拋光布(8-2)與下盤(2)之間具有預定均勻厚度的第一環形背墊(9),所述第一環形背墊(9)的內沿半徑大于所述下盤(2)的內沿半徑,所述第一環形背墊(9)的外沿半徑小于所述下盤(2)的外沿半徑,
所述第一環形背墊(9)和所述第二環形背墊一起用于使襯底(7)中心和邊緣的化學機械拋光作用達到平衡。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的拋光裝置,其特征在于,所述第一環形背墊(9)和/或所述第二環形背墊為聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚苯乙烯以及其他樹脂制成的薄膜之一。
6.根據權利要求1-4中任一項所述的拋光裝置,其特征在于,所述上盤(1)施加的壓力(6)為0.1-0.6公斤/平方厘米;所述下盤(2)逆時針旋轉,轉速為30-60轉/分鐘;所述中心齒圈(3)和上盤(1)順時針旋轉,轉速為10-15轉/分鐘;所述外齒圈(4)逆時針旋轉,轉速為25-30轉/分鐘;所述襯底(7)的直徑為3英寸,所述第一環形背墊(9)和/或所述第二環形背墊的厚度為40-130um,所述第一環形背墊(9)的外沿半徑比所述下盤(2)外沿半徑小2-5mm,所述第一環形背墊(9)的內沿半徑比所述下盤(2)內沿半徑大2-5mm;所述第二環形背墊的外沿半徑比所述上盤(1)外沿半徑小2-5mm,所述第二環形背墊的內沿半徑比所述上盤(1)內沿半徑大2-5mm。
7.根據權利要求6所述的拋光裝置,其特征在于,所述第一環形背墊(9)的厚度為90-110um,所述第一環形背墊(9)的外沿半徑比所述下盤(2)外沿半徑小3-4mm,所述第一環形背墊(9)的內沿半徑比所述下盤(2)內沿半徑大3-4mm;所述第二環形背墊的厚度為90-110um,所述第二環形背墊的外沿半徑比所述上盤(1)外沿半徑小3-4mm,所述第二環形背墊的內沿半徑比所述上盤(1)內沿半徑大3-4mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京通美晶體技術有限公司,未經北京通美晶體技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110034139.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:外圓珩磨磨削力在線測量裝置和方法
- 下一篇:直驅橫梁移動式數控龍門鏜銑床





