[發明專利]MEMS器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201110034096.X
• 申請日: 2011-01-31
• 公開（公告）號: CN102616727A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 陳曉軍;吳秉寰;黃河
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種MEMS器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

第一層間介質層，位于所述半導體襯底上；

空腔，位于所述第一層間介質層內；

開口組合，位于所述空腔上方的第一層間介質層內，所述開口組合與所述空腔連通，所述開口組合包括第一開口和第二開口，所述第一開口比所述第二開口靠近所述半導體襯底，所述第一開口的側壁與所述第二開口的側壁不對齊，且所述第一開口和第二開口之間形成突臺，所述突臺被所述第二開口暴露出；

MEMS活動電極，懸置于所述空腔內，所述MEMS活動電極能夠與所述空腔進行相對運動；

第二層間介質層，位于所述第一層間介質層上；

第三開口，位于所述第二層間介質層內，所述第三開口與所述開口組合相連通，且所述第三開口的位置不超過所述突臺的位置；

第三層間介質層，至少將所述第三開口填滿，將所述空腔和開口組合密封。

2.如權利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述開口組合的數目為至少兩個，每一開口組合的第一開口的尺寸與其他開口組合的第一開口的尺寸不同，每一開口組合的第二開口組合的尺寸與其他開口組合的第二開口的尺寸不同，且每一開口組合具有與其尺寸對應的第三開口。

3.如權利要求1或2所述的MEMS器件，其特征在于，所述開口組合為T型或L型。

4.如權利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述第三層間介質層將所述第三開口填滿且所述第三層間介質層覆蓋所述第二層間介質層，所述MEMS器件還包括：屏蔽金屬層，位于所述第三層間介質層上。

5.如權利要求4所述的MEMS器件，其特征在于，所述屏蔽金屬層的材質為金屬，其厚度范圍為0.05～5微米。

6.一種MEMS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成層間介質層；

在所述層間介質層內形成空腔；

在所述空腔上的層間介質層內形成開口組合，所述開口組合與所述空腔連通，所述開口組合包括第一開口和第二開口，所述第一開口比所述第二開口靠近所述半導體襯底，所述第一開口的側壁與所述第二開口的側壁不對齊，且所述第一開口和第二開口之間形成突臺，所述突臺被所述第二開口暴露出；

在所述空腔內形成MEMS活動電極，所述MEMS活動電極懸置于所述空腔內，所述MEMS活動電極能夠與所述空腔進行相對運動；

在所述第一層間介質層上形成第二層間介質層；

在所述第二層間介質層內形成第三開口，所述第三開口與所述開口組合相連通，且所述第三開口的位置不超過所述突臺的位置；

在所述第三開口填充第三層間介質層，將所述開口組合和空腔封閉。

7.如權利要求6所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于，所述開口組合的數目至少為兩個，每一開口組合的第一開口的尺寸與其他開口組合的第一開口的尺寸不同，每一開口組合的第二開口組合的尺寸與其他開口組合的第二開口的尺寸不同，且每一開口組合具有與其尺寸對應的第三開口。

8.如權利要求6所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于，所述第三層間介質層將所述第三開口填滿且所述第三層間介質層覆蓋所述第二層間介質層，所述MEMS器件的制作方法還包括：在所述第三層間介質層上形成屏蔽金屬層的步驟。

9.如權利要求8所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于，所述屏蔽金屬層的材質為金屬，其厚度范圍為0.05～5微米。