[發明專利]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 201110034081.3
• 申請日: 2011-01-28
• 公開（公告）號: CN102446705A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 李基領;金辰壽
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/308
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;何勝勇

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

在半導體基板上形成分隔線圖案以及與所述分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案；

在所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的側壁上形成間隔物絕緣層；

在所述間隔物絕緣層之間形成間隙填充層；

形成第一切割掩摸圖案以使所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分露出；

使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層；

形成包括第一圖案和第二圖案的第二切割掩摸圖案，其中，所述第一圖案與被所述第一切割掩摸圖案露出的區域相鄰并覆蓋所述間隙填充層、與所述間隙填充層相鄰的所述間隔物絕緣層、和與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案的一部分，并且所述第二圖案覆蓋所述分隔線圖案、與所述分隔線圖案相鄰的所述間隔物絕緣層、和與所述間隔物絕緣層相鄰的所述間隙填充層的一部分；以及

使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層以在所述半導體基板中形成柵極溝槽。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述半導體基板上形成絕緣膜。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，

在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的過程中，對所述絕緣膜的上部進行部分蝕刻來形成絕緣圖案。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，

使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸來移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層的步驟利用所述分隔線圖案或所述間隙填充層與所述間隔物絕緣層之間的蝕刻選擇率差異而不移除所述間隔物絕緣層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述第一圖案和所述第二圖案中的每一者均形成為島形圖案。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

通過使用殘留的所述分隔線圖案、所述分隔墊圖案和所述間隙填充層作為掩摸蝕刻所述半導體基板來形成溝槽。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述溝槽包括：

線型的第一溝槽；

第二溝槽，其布置成與所述第一溝槽平行并與所述第一溝槽間隔開；

第三溝槽，其布置成與所述第一溝槽和所述第二溝槽平行并與所述第一溝槽和所述第二溝槽間隔開；以及

第四溝槽，其連接至所述第三溝槽并布置成與所述第三溝槽垂直。

8.一種半導體器件的制造方法，包括：

在半導體基板上形成分隔線圖案，并且形成與所述分隔線圖案的端部連接的分隔墊圖案；

在所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的側壁上形成間隔物絕緣層；

形成埋入在所述間隔物絕緣層之間的間隙填充層；

形成包括第一凹部和第二凹部的第一切割掩摸圖案，其中，所述第一凹部使所述分隔線圖案與所述分隔墊圖案之間的連接部分露出且還使所述間隔物絕緣層以及與所述間隔物絕緣層相鄰的所述間隙填充層和所述分隔線圖案露出，并且所述第二凹部借助與所述間隙填充層相鄰的所述間隔物絕緣層與所述第一凹部間隔開；

使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層；

形成包括第一圖案和第二圖案的第二切割掩摸圖案，所述第一圖案和所述第二圖案覆蓋被所述第一凹部和所述第二凹部露出的區域的一部分，所述第一圖案和所述第二圖案與所述第一凹部和所述第二凹部的不平坦部分間隔開；以及

使用所述第二切割掩摸圖案作為掩摸移除所述間隔物絕緣層。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在所述半導體基板上形成絕緣膜。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，

在形成所述分隔線圖案和所述分隔墊圖案的過程中，對所述絕緣膜的上部進行部分蝕刻來形成絕緣圖案。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，

使用所述第一切割掩摸圖案作為掩摸來移除與所述間隔物絕緣層相鄰的所述分隔線圖案和所述間隙填充層的步驟利用所述分隔線圖案或所述間隙填充層與所述間隔物絕緣層之間的蝕刻選擇率差異而不移除所述間隔物絕緣層。