[發明專利]一種氧化亞銅薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201110033968.0
• 申請日: 2011-01-31
• 公開（公告）號: CN102623521A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 李俊強;梅增霞;葉大千;崔秀芝;杜小龍
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/18
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種氧化亞銅薄膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取單晶襯底并清洗，然后將其導入超高真空制膜系統；

2)在超高真空下對單晶襯底進行熱處理，以去除其表面雜質；

3)在氣壓≤10^-8mbar條件下，在步驟2)的襯底表面沉積Cu膜，襯底溫度為0～700℃；

4)用射頻氧等離子體對Cu膜進行氧化處理；

5)在溫度600～900℃下退火10～30分鐘，然而降至室溫取出。

2.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟4)中襯底溫度為200～800℃。

3.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟4)中氧氣流量為0.2～2.0sccm。

4.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟4)中射頻功率為100～350W。

5.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述超高真空制膜系統為射頻氧等離子體輔助分子束外延系統。

6.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述單晶襯底為氧化物或非氧化物半導體材料。

7.根據權利要求6所述方法，其特征在于，當所述單晶襯底為氧化物半導體材料時，所述步驟2)包括：

步驟201)：在溫度為750～900℃下保持10～30分鐘；

步驟202)：在溫度為400～750℃下，對步驟201)得到的氧化物單晶襯底表面進行10～30分鐘的氧等離子體處理。

8.根據權利要求7所述方法，其特征在于，所述步驟202)中對氧化物單晶襯底表面采用氧等離子體處理是利用活性氧對襯底表面進行轟擊，以獲得氧終止表面，同時修復表面損傷。

9.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述步驟5)中的退火氛圍為氧氣環境。