[發明專利]低成本芯片扇出結構的封裝方法有效
| 申請號: | 201110033765.1 | 申請日: | 2011-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN102157392A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 張黎;賴志明;陳棟;陳錦輝 | 申請(專利權)人: | 江陰長電先進封裝有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低成本 芯片 結構 封裝 方法 | ||
1.?一種低成本芯片扇出結構的封裝方法,其特征在于:所述方法包括以下工藝步驟:
步驟一、取載體基板,載體基板尺寸為長250×寬70mm;
步驟二、在載體基板上預先形成對位圖形,在預先形成對位圖形的載體基板上貼上臨時粘結膜;
步驟三、將芯片倒裝至貼有臨時粘結膜的載體基板上;
步驟四、將帶有芯片的載體基板用塑封體進行包封,形成重構基板;
步驟五、將包封后形成的重構基板與載體基板剝離;
步驟六、在重構基板上罩上掩膜板,通過光刻或者激光的方式在掩膜板上形成掩膜圖形開口;
步驟七、利用離子鍍的方式在形成掩膜圖形開口的重構基板上形成再布線金屬;
步驟八、移除掩膜板;
步驟九、在形成再布線金屬的重構基板上印刷或者貼再布線金屬保護膜;
步驟十、在再布線金屬保護膜上應用激光打出開口圖形;
步驟十一、在步驟十形成的開口圖形處植球并回流,形成金屬凸點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





