[發明專利]高集成度晶圓扇出封裝結構

有效

• 申請號: 201110032264.1
• 申請日: 2011-01-30
• 公開（公告）號: CN102169879A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 陶玉娟;石磊;沈海軍
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于，包括：

被封裝單元，包括芯片及無源器件，所述被封裝單元具有功能面；

與被封裝單元的功能面相對的另一面形成有封料層，所述封料層對被封裝單元進行封裝固化，所述封料層表面對應于被封裝單元之間設有凹槽。

2.如權利要求1所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述功能面是指被封裝單元中芯片的金屬電極和無源器件的焊盤所在表面。

3.如權利要求1所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述封料層還填充于所述芯片與芯片之間、芯片與無源器件之間和/或無源器件和無源器件之間的空間。

4.如權利要求1所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述無源器件包括電容、電阻和電感。

5.如權利要求1所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述封料層的材料為環氧樹脂。

6.如權利要求1所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述封料層通過轉注、壓縮或印刷的方法形成在所述芯片和無源器件上。

7.如權利要求1所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述凹槽有多條，每一條凹槽圍繞所述被封裝單元而封閉。

8.如權利要求7所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：每一條凹槽所圍成的形狀包括正方形、長方形或圓形。

9.如權利要求8所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：每一條凹槽之間保持相同距離。

10.如權利要求9所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述凹槽成矩陣排列。

11.如權利要求10所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述凹槽的橫截面包括U型、V型或凹型。

12.如權利要求1所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述芯片包括多個不同的芯片。

13.如權利要求1所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述封裝單元的功能面形成有金屬互連結構。

14.如權利要求13所述的高集成度晶圓扇出封裝結構，其特征在于：所述金屬互連結構包括：依次位于芯片和無源器件的功能面上的金屬再布線層和球下金屬層，及位于球下金屬層表面的金屬焊球，所述球下金屬層和金屬再布線層間還形成有保護膜。