[發明專利]太陽能電池有效
| 申請號: | 201110032238.9 | 申請日: | 2011-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN102244116A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 李基源;金鐘煥;姜周完;李京洙;河萬孝;張大熙 | 申請(專利權)人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;湯俏 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池。
背景技術
目前,由于認為現有能源(如石油和煤)是會被耗盡的,因此對于代替現有能源的另選能源越來越感興趣。在這些另選能源中,從太陽能產生電能的太陽能電池尤其受到關注。
太陽能電池通常包括通過彼此不同的導電類型(如,p型和n型)的不同半導體形成p-n結的半導體、以及分別連接到半導體的電極。
當光入射在太陽能電池上時,在半導體中產生多個電子-空穴對。通過光生伏打效應,這些電子-空穴對被分離成電子和空穴。因此,分離出的電子向n型半導體移動,而分離出的空穴向p型半導體移動。分別由電連接到n型半導體的電極和電連接到p型半導體的電極來收集電子和空穴。電極使用電線而互相連接,從而獲得電能。
發明內容
根據本發明的一個方面,一種太陽能電池包括:具有粗糙表面的基板,所述粗糙表面包括多個鋸齒狀部分;射極區,該射極區與所述基板形成p-n結;連接到所述射極區的多個第一電極;以及連接到所述基板的第二電極,其中,所述多個鋸齒狀部分中的每一個鋸齒狀部分具有等于或小于1μm的直徑和高度,并且所述多個第一電極中的每一個第一電極具有大約20μm至大約80μm的寬度。
所述多個第一電極中的每一個第一電極可以具有30μm至80μm的高度。
兩個相鄰的第一電極之間的距離可以是1.6mm至2.0mm。
根據該方面的太陽能電池還可以包括多個第一電極集電器,所述多個第一電極集電器連接到所述射極區,并且沿與所述多個第一電極交叉的方向延伸。
所述多個第一電極集電器中的各個第一電極集電器的高度可以與所述多個第一電極中的各個第一電極的高度相等,或者大于所述多個第一電極中的各個第一電極的高度。
所述多個第一電極中的各個第一電極的厚度與所述多個第一電極集電器中的各個第一電極集電器的厚度之比可以是1∶1至3.3。
所述多個第一電極集電器中的各個第一電極集電器可以具有大約35μm至100μm的厚度。
所述多個第一電極中的各個第一電極的寬度與所述多個第一電極集電器中的各個第一電極集電器的寬度之比可以是1∶16.25至110。
所述多個第一電極集電器中的各個第一電極集電器可以具有大約1.3mm至2.2mm的寬度。
所述射極區可以具有大約80Ω/sq.至150Ω/sq.的薄層電阻。
所述射極區從所述基板的所述粗糙表面起可以具有大約150nm至450nm的厚度。
根據本發明的一個方面,一種太陽能電池包括:具有粗糙表面的基板,所述粗糙表面包括多個鋸齒狀部分;射極區,該射極區與所述基板形成p-n結;連接到所述射極區的多個第一電極;以及連接到所述基板的第二電極,其中,所述多個第一電極中的至少一個第一電極形成在所述多個鋸齒狀部分上方,并且所述多個鋸齒狀部分中的設置在所述多個第一電極中的所述至少一個第一電極的截面寬度方向內的數量至少是10。
附圖說明
附圖被包括進來以提供對本發明的進一步理解,其被并入且構成本說明書的一部分,附圖示出了本發明的實施方式,并與說明書一起用于解釋本發明的原理。在附圖中:
圖1是根據本發明的示例性實施方式的太陽能電池的立體圖;
圖2是沿圖1的II-II線剖取的剖面圖;以及
圖3是示出了根據本發明的示例性實施方式的太陽能電池模塊的示意圖。
具體實施方式
下面將參照附圖更全面地描述本發明,在附圖中示出了本發明的示例性實施方式。但是,本發明可以以許多不同的形式來實施,而不應當被理解為局限于本文所述的實施方式。
在附圖中,為了清楚起見,放大了層、膜、板、區域等的厚度。在整個說明書中,相同標號表示相同元件。應該理解,當將諸如層、膜、區域或基板的元件稱為“位于另一元件上”時,它可以直接位于所述另一元件上,或者也可以存在中間元件。相反,當將一元件稱為“直接位于另一元件上”時,不存在中間元件。另外,應該理解,當將諸如層、膜、區域或基板的元件稱為“完全”位于另一元件上時,它可以位于所述另一元件的整個表面上,而不可以位于所述另一元件的邊緣部分上。
參照附圖,描述根據本發明的示例性實施方式的太陽能電池。
圖1是根據本發明的示例性實施方式的太陽能電池的立體圖,而圖2是沿圖1的II-II線剖取的剖面圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





