[發(fā)明專利]一種物理空間交錯式抗單粒子臨近效應的靜態(tài)存儲單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110031829.4 | 申請日： | 2011-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN102176322A | 公開（公告）日： | 2011-09-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 謝成民;王忠芳;李如美;吳龍勝;劉佑寶 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國航天科技集團公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分類號： | G11C11/412 | 分類號： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 陸萬壽 |
| 地址： | 710054 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 物理 空間 交錯 式抗單 粒子 臨近 效應 靜態(tài) 存儲 單元 | ||
1.物理空間交錯式抗單粒子臨近效應的靜態(tài)存儲單元，包括A存儲單元晶體管和B存儲單元晶體管，其特征在于：A存儲單元晶體管由設置于硅襯底上的A存儲單元第一訪問晶體管AMG1、A存儲單元第二訪問晶體管AMG2、A存儲單元第一上拉晶體管AMP1、A存儲單元第二上拉晶體管AMP2、A存儲單元第一下拉晶體管AMN1和A存儲單元第二下拉晶體管AMN2構(gòu)成；B存儲單元晶體管還由設置于硅襯底上的B單元第一訪問晶體管BMG1、B單元第二訪問晶體管BMG2、B單元第一上拉晶體管BMP1、B單元第二上拉晶體管BMP2、B單元第一下拉晶體管BMN1和B單元第二下拉晶體管BMN2構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述物理空間交錯式抗單粒子臨近效應的靜態(tài)存儲單元，其特征在于：
A存儲單元第一上拉晶體管AMP1、A存儲單元第二上拉晶體管AMP2、B單元第一上拉晶體管BMP1、B單元第二上拉晶體管BMP2為形成于n阱270或深n阱的PMOS晶體管，其它晶體管則為NMOS晶體管；A存儲單元第一上拉晶體管AMP1、A存儲單元第二上拉晶體管AMP2、B單元第一上拉晶體管BMP1和B單元第二上拉晶體管BMP2的源極分別經(jīng)由有源到第一金屬層M1的接觸孔214和216與位于M1層的電壓源VCC互連線210連接到了一起；
A存儲單元第一上拉晶體管AMP1的漏極、第一下拉晶體管AMN1的漏極、第一訪問晶體管AMG1的漏極經(jīng)由有源到第一金屬層M1的接觸孔221和222與位于M1層的第一存儲節(jié)點AN1互連線220連接到了一起；第二上拉晶體管AMP2的柵極與第二下拉晶體管AMN2的柵極經(jīng)由多晶到第一金屬層M1的接觸孔224與位于M1層的第一存儲節(jié)點AN1互連線223連接到了一起。
3.如權(quán)利要求1所述物理空間交錯式抗單粒子臨近效應的靜態(tài)存儲單元，其特征在于：
A存儲單元第一存儲節(jié)點AN1的一條M1互連線220通過第一金屬層M1到第二金屬層M2的通孔310連接到位于M2層的第一存儲節(jié)點AN1互連線311上，而AN1的另一條M1互連線223通過第一金屬層M1到第二金屬層M2的通孔312也連接到位于M2層的第一存儲節(jié)點AN1互連線311上，這樣在第二金屬層M2上實現(xiàn)了兩條AN1互連線的互連。
4.如權(quán)利要求1所述物理空間交錯式抗單粒子臨近效應的靜態(tài)存儲單元，其特征在于：
A存儲單元第二上拉晶體管AMP2的漏極、第二下拉晶體管AMN2的漏極、第二訪問晶體管AMG2的漏極經(jīng)由有源到第一金屬層M1的接觸孔231和232與位于M1層的第二存儲節(jié)點AN2互連線230連接到了一起；第一上拉晶體管AMP1的柵極與第一下拉晶體管AMN1的柵極經(jīng)由多晶到第一金屬層M1的接觸孔234與位于M1層的第二存儲節(jié)點AN2互連線233連接到了一起。
5.如權(quán)利要求1所述物理空間交錯式抗單粒子臨近效應的靜態(tài)存儲單元，其特征在于：A存儲單元第二存儲節(jié)點AN2的一條M1互連線233通過第一金屬層M1到第二金屬層M2的通孔320連接到位于M2層的第二存儲節(jié)點AN2互連線321上，而AN2的另一條M1互連線230通過第一金屬層M1到第二金屬層M2的通孔322連接到位于M2層的第二存儲節(jié)點AN2互連線321上，這樣在第二金屬層M2上實現(xiàn)了兩條AN2互連線的互連；
B單元第一上拉晶體管BMP1的漏極、第一下拉晶體管BMN1的漏極、第一訪問晶體管BMG1的漏極經(jīng)由有源到第一金屬層M1的接觸孔241和242與位于M1層的第一存儲節(jié)點BN1互連線240連接到了一起；第二上拉晶體管BMP2的柵極與第二下拉晶體管BMN2的柵極經(jīng)由多晶到第一金屬層M1的接觸孔244與位于M1層的第一存儲節(jié)點BN1互連線243連接到了一起。
6.如權(quán)利要求1所述物理空間交錯式抗單粒子臨近效應的靜態(tài)存儲單元，其特征在于：B單元BN1的一條M1互連線240通過第一金屬層M1到第二金屬層M2的通孔330連接到位于M2層的第一存儲節(jié)點BN1互連線331上，而BN1的另一條M1互連線243通過第一金屬層M1到第二金屬層M2的通孔332也連接到位于M2層的第一存儲節(jié)點BN1互連線331上，這樣在第二金屬層M2上實現(xiàn)了兩條BN1互連線的互連。
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