[發(fā)明專利]提高投影步進(jìn)光刻機(jī)對準(zhǔn)信號的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110031787.4
• 申請日: 2011-01-30
• 公開（公告）號: CN102073222A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李秋;梅海軍;熊愛華;石建武;林立桂;林善彪
• 申請（專利權(quán)）人: 福建福順微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 福州元創(chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學(xué)俊

1.一種提高投影步進(jìn)光刻機(jī)對準(zhǔn)信號的方法，其特征在于：按以下步驟進(jìn)行：

1）在埋層掩膜版的左上角和右上角一定區(qū)域內(nèi)設(shè)置各兩行2~6個目標(biāo)十字，其中一行目標(biāo)十字不透光，另一行目標(biāo)十字透光；

2）在硼埋版的左上角和右上角對應(yīng)區(qū)域內(nèi)各設(shè)置一行1~3個對準(zhǔn)十字，所述對準(zhǔn)十字與埋層掩膜版上的目標(biāo)十字坐標(biāo)相同，對準(zhǔn)十字為透光，對準(zhǔn)后進(jìn)行硼埋光刻；

3）在磷橋光刻或隔離光刻前在對應(yīng)區(qū)域內(nèi)各設(shè)置一行1~3個對準(zhǔn)十字，所述磷橋版或隔離版上的對準(zhǔn)十字與埋層掩膜版上的目標(biāo)十字坐標(biāo)相同，在對準(zhǔn)十字旁側(cè)的空白區(qū)域內(nèi)位后道可光設(shè)置目標(biāo)十字，所述目標(biāo)十字設(shè)置兩行，一行為透光，另一行為不透光，目標(biāo)十字的數(shù)量為16~32個；

4）低硼光刻、基區(qū)光刻、高硼光刻、E區(qū)光刻、電容光刻、引線孔光刻、通孔光刻、鈍化光刻時(shí)，每道光刻前在各場版對應(yīng)磷橋版或隔離版上的目標(biāo)十字設(shè)置單行對準(zhǔn)十字，所述對準(zhǔn)十字為透光，數(shù)量為1~4個，對準(zhǔn)十字周圍的區(qū)域?yàn)椴煌腹猓?/p>

5）SIN光刻和鋁光刻時(shí)，每道光刻前在各場版對應(yīng)磷橋版或隔離版上的目標(biāo)十字設(shè)置單行對準(zhǔn)十字，所述對準(zhǔn)十字為透光，數(shù)量為1~4個，對準(zhǔn)十字周圍的區(qū)域?yàn)橥腹狻?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高投影步進(jìn)光刻機(jī)對準(zhǔn)信號的方法，其特征在于：步驟1）中，所述埋層掩膜版上設(shè)置的目標(biāo)十字的大小為2.5~5.5um，間距為30um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高投影步進(jìn)光刻機(jī)對準(zhǔn)信號的方法，其特征在于：步驟2）中，所述硼埋版上設(shè)置的對準(zhǔn)十字的大小為2.5~4.5um。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高投影步進(jìn)光刻機(jī)對準(zhǔn)信號的方法，其特征在于：步驟3）中，所述磷橋版或隔離版上的對準(zhǔn)十字大小為2~3.5um，所述磷橋版或隔離版上的目標(biāo)十字大小為1.0~6.5um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高投影步進(jìn)光刻機(jī)對準(zhǔn)信號的方法，其特征在于：步驟4）中，所述低硼、基區(qū)、高硼、E區(qū)、電容、引線孔、通孔、鈍化版上設(shè)置的對準(zhǔn)十字的大小為2.0~2.4um，對準(zhǔn)十字的間距為0.23~0.92um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高投影步進(jìn)光刻機(jī)對準(zhǔn)信號的方法，其特征在于：步驟5）中，所述SIN板和鋁版上設(shè)置的對準(zhǔn)十字大小為2.5~4.5um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高投影步進(jìn)光刻機(jī)對準(zhǔn)信號的方法，其特征在于：在埋層光刻前預(yù)先要生長氧化層，厚度在6000~10000埃之間，在深磷光刻前和隔離光刻前氧化層的厚度控制在5000~8000埃之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高投影步進(jìn)光刻機(jī)對準(zhǔn)信號的方法，其特征在于：在磷橋光刻或者隔離光刻時(shí)形成的臺階深度控制在800~3500埃，避免目標(biāo)十字和對準(zhǔn)十字失真。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高投影步進(jìn)光刻機(jī)對準(zhǔn)信號的方法，其特征在于：埋層掩膜版上設(shè)置目標(biāo)大小的區(qū)域?yàn)?~4mm*2~4mm。