[發明專利]用于生產半導體晶片的方法

有效

• 申請號: 201110031231.5
• 申請日: 2011-01-25
• 公開（公告）號: CN102169821A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: J·施萬德納;M·克斯坦
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/304;B24B37/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東

1.用于生產半導體晶片的方法，其依次包括：

(a)從單晶切下的半導體晶片的同步雙面材料去除加工，其中半導體晶片在兩個旋轉的環狀工作盤之間加工，其中每個工作盤含平均粒度為5.0～20.0μm的研磨劑；

(b)用堿性介質處理半導體晶片的兩個面；

(c)研磨半導體晶片的正面和背面，其中每一情況下半導體晶片的一面都通過晶片固定器穩固地固定，而另一面則通過研磨工具加工；其中研磨工具含平均粒度為1.0～10.0μm的研磨劑，其中研磨劑的平均粒度小于步驟(a)中使用的工作盤的研磨劑的平均粒度；

(d)通過含平均粒度為0.1～1.0μm的研磨劑的拋光墊拋光半導體晶片的兩個面；

(e)通過不含研磨劑的切削拋光墊拋光半導體晶片的正面，同時提供含有研磨劑的拋光劑；

(f)正面的化學機械拋光(CMP)。

2.權利要求1的方法，其中，在步驟(a)中，半導體晶片以自由移動的方式位于多個載具之一中的切口中，通過滾動裝置使所述載具旋轉，半導體晶片從而在擺線軌道上移動，其中每個工作盤包括含研磨劑的工作層。

3.權利要求1或2的方法，其中半導體晶片在加工過程中其部分表面暫時離開工作間隙，所述工作間隙由工作盤的工作層界定，其中此偏移在徑向的最大值大于半導體晶片直徑的0％且至多為20％。

4.權利要求1～3之任一的方法，其中堿性介質為NaOH水溶液或KOH水溶液。

5.權利要求1～4之任一的方法，其中步驟(d)中使用的拋光墊包括研磨劑，所述研磨劑選自以下組中：碳化硅、氮化硼、金剛石和元素鈰、鋁、硅、鋯的氧化物。

6.權利要求1～5之任一的方法，其中，在步驟(d)中，不含固體的拋光劑溶液引入到拋光墊與半導體晶片的兩個面之間。

7.權利要求1～6之任一的方法，其中，在步驟(a)之前，為半導體晶片提供圓整的邊緣。

8.權利要求1～7之任一的方法，其中半導體晶片的邊緣在步驟(e)和步驟(f)之間拋光。

9.權利要求1～8之任一的方法，其中，在步驟(e)和(f)的半導體晶片正面的拋光過程中，半導體晶片通過其背面固定在載具上，其中使用厚度為至多3μm的均勻的薄膠合層固定。

10.權利要求1～8之任一的方法，其中，在步驟(e)和(f)的半導體晶片正面的拋光過程中，半導體晶片在拋光期間借助固定系統在其背面上通過粘接固定在一個切口中，所述固定系統固定在載具上并且包括成排的切口，切口尺寸為要接收的半導體晶片的尺寸。