[發明專利]非直接結合銅隔離的橫向寬帶隙半導體器件

無效

• 申請號: 201110031230.0
• 申請日: 2011-01-28
• 公開（公告）號: CN102142409A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: G.R.伍迪;T.G.沃德;K.布特羅斯;B.休斯
• 申請（專利權）人: 通用汽車環球科技運作有限責任公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L25/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張群峰

1.?一種器件，包括：

散熱器；

緩沖層，其直接覆蓋在所述散熱器上；以及

外延層，其由Ⅲ族元素氮化物構成并且覆蓋在所述緩沖層上。

2.?如權利要求1所述的器件，其中，所述緩沖層與所述散熱器電隔離。

3.?如權利要求1所述的器件，其中，所述外延層包括橫向構造的二極管。

4.?如權利要求1所述的器件，其中，所述外延層包括橫向構造的開關。

5.?如權利要求1所述的器件，其中，所述外延層包括：

橫向構造的二極管；以及

橫向構造的開關，其聯接到所述橫向構造的二極管。

6.?如權利要求5所述的器件，還包括：連接所述橫向構造的開關與所述橫向構造的二極管的電極、至少一個引線接合、或者集成電路金屬化。

7.?如權利要求5所述的器件，其中，所述橫向構造的二極管和所述橫向構造的開關與所述散熱器電隔離。

8.?如權利要求4所述的器件，其中，所述橫向構造的開關包括柵端子、源端子、和漏端子。

9.?如權利要求8所述的器件，其中：

所述外延層包括頂側；并且

所述柵端子、所述源端子、和所述漏端子均位于所述頂側上。

10.?一種器件，包括：

散熱器；

基底，其直接覆蓋在所述散熱器上；

緩沖層，其直接覆蓋在所述基底上；以及

外延層，其由Ⅲ族元素氮化物構成并且覆蓋在所述緩沖層上。