[發明專利]一種多介質結構的UHF_RFID標簽及天線

有效

• 申請號: 201110031208.6
• 申請日: 2011-01-28
• 公開（公告）號: CN102567775A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 劉智佳
• 申請（專利權）人: 劉智佳
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;H01Q1/22
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種多介質結構的UHF_RFID抗金屬標簽，包括天線與IC芯片，其特征在于，所述天線進一步包括介質基片，介質基片的一面設置接地層，其對應面上設置輻射電極層，所述輻射電極層通過微帶線或探針與IC芯片的RF端口連接，所述接地層通過一段金屬層或直接與IC芯片的GND端口連接,所述介質基片包括至少兩層介質層，相鄰兩層的介質層的介電常數不相同，所述介質層的介質為非金屬材料，所述介質層中至少包括一空氣層，每一空氣層包括支架，每一空氣層通過支架建立與接地層或其它介質層連接，該一或該些空氣層的厚度之和不小于所述介質基片的厚度的?40%??。

2.如權利要求1所述的多介質結構的UHF_RFID抗金屬標簽，其特征在于，所述介質層包括以下材質層的一種或幾種組合：環氧板層、塑料層、該些層的組合。

3.如權利要求2所述的多介質結構的UHF_RFID抗金屬標簽，其特征在于，按照組合后的等效介電常數根據以下公式來確定介質體的組成及對應的厚度。

4.如權利要求1或2所述的多介質結構的UHF_RFID抗金屬標簽，其特征在于，所述IC芯片設置在介質基片的上方、側面、或下方。

5.如權利要求1或2所述的多介質結構的UHF_RFID抗金屬標簽，其特征在于，所述該些介質層是從上到下、或從下到上依次連接。

6.如權利要求1所述的多介質結構的UHF_RFID抗金屬標簽，其特征在于，所述介質層還包括介電常數小于2的材料組成的層。

7.一種多介質結構的UHF_RFID抗金屬標簽的制作工藝，其特征在于，包括以下步驟：

（1）確認組合后的等效介電常數;

（2）以下公式來確定介質基片組成的層數、選用的介質體及對應的厚度，其中包括至少一空氣層，該一或該些空氣層的厚度之和不小于所述介質基片的厚度的40%;

（3）將制作好的介質基片的一面設置接地層，其對應面上設置輻射電極層，所述輻射電極層通過微帶線或探針與IC芯片的RF端口連接，所述接地層通過一段金屬層或直接與IC芯片的GND端口連接。

8.如權利要求7所述的多介質結構的UHF_RFID抗金屬標簽的制作工藝，其特征在于，所述介質層包括以下材質層的一種或幾種組合：環氧板層、塑料層、該些層的組合。