[發明專利]半導體元件、封裝結構、及半導體元件的形成方法

有效

• 申請號: 201110031174.0
• 申請日: 2011-01-25
• 公開（公告）號: CN102148201A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 蕭義理;余振華;鄭心圃;董志航;魏程昶
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;劉文意

1.一種半導體元件，包括：

一半導體基板；

一焊盤區位于該半導體基板上；

一焊料凸塊位于該焊盤區上并電性連接至該焊盤區；以及

一金屬蓋層位于至少部分該焊料凸塊上；

其中該金屬蓋層的熔點高于該焊料凸塊的熔點。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該金屬蓋層包括鎳、鈀、金、銅或無鉛焊料中至少之一。

3.如權利要求1所述的半導體元件，其中該金屬蓋層至少形成于該焊料凸塊的整個表面上、該焊料凸塊較下方的側壁表面上、或該焊料凸塊中間的側壁表面上。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其中該焊料凸塊的底部于水平方向延展出該金屬蓋層。

5.一種封裝結構，包括：

一半導體基板；

一封裝基板；以及

一凸塊結構位于該半導體基板與該封裝基板之間，且該凸塊結構電性連接該半導體基板與該封裝基板；

其中該凸塊結構包括一焊料凸塊與一金屬蓋層，該金屬蓋層覆蓋至少部分該焊料凸塊，且該金屬蓋層的熔點高于該焊料凸塊的熔點。

6.如權利要求5所述的封裝結構，其中該金屬蓋層包括鎳、鈀、金、銅、或無鉛材料中至少之一。

7.如權利要求5所述的封裝結構，其中部分該焊料凸塊于水平方向延展出該金屬蓋層。

8.一種半導體元件的形成方法，包括：

形成一焊料層于一半導體基板上；

進行一再流動熱工藝于該焊料層上；以及

形成一金屬蓋層于至少部分該焊料層上；

其中該金屬蓋層的熔點高于該焊料層的熔點。

9.如權利要求8的所述的半導體元件的形成方法，其中形成該金屬蓋層的步驟在該再流動熱工藝之后或之前。

10.如權利要求8的所述的半導體元件的形成方法，其中該焊料層是一焊料凸塊，且該金屬蓋層至少覆蓋該焊料凸塊其部分的側壁表面。