[發明專利]齊納二極管的制備方法

有效

• 申請號: 201110028615.1
• 申請日: 2011-01-26
• 公開（公告）號: CN102117747B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 劉正超;唐樹澍;沈亮
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及的是一種半導體技術領域的制備方法，具體是一種齊納二極管的制備方法。

背景技術

齊納二極管(zener?diode)又稱穩壓二極管，是一種直到臨界方向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。穩壓二極管是應用在方向擊穿區的特殊的面接觸型硅晶體二極管。

現有技術中包括以下三種類型的齊納二極管：只用STI(Shallow?TrenchIsolation，淺溝槽隔離)做隔離、只用SAB(Salicide?Block，硅化物掩蔽層)做隔離和同時用STI與SAB做隔離。

如圖1所示，所述只用STI做隔離的齊納二極管包括：

P型襯底100；

N型摻雜區域101，位于所述P型襯底100上；

P+區域102，位于所述N型摻雜區域101上的中間位置；

第一N+區域103和第二N+區域104，對稱地位于所述N型摻雜區域101上的兩端；

SAB(Salicide?Block，硅化物掩蔽層)105，位于所述第一N+區域103、所述第二N+區域104和所述P+區域102上；

STI(Shallow?Trench?Isolation，淺溝槽隔離)106，位于所述第一N+區域103與所述P+區域102之間、所述第二N+區域104與所述P+區域102之間；

制備圖1所示的齊納二極管的方法包括：

在P型襯底100上制備STI?106，從而定義了所述第一N+區域103、所述第二N+區域104和所述P+區域102的位置；

在P型襯底100上進行N型離子摻雜，形成N型摻雜區域101，進行第一次退火處理；

在所述N型摻雜區域101內且在所述STI?106之間的區域注入P型離子，形成P+區域102；在所述STI?106和所述P+區域102外的N型摻雜區域101內注入N型離子，形成第一N+區域103和第二N+區域104；

進行第二次退火處理，且在所述第一N+區域103、所述第二N+區域104和所述P+區域102上分別制備SAB。

如圖2所示，所述只用SAB做隔離的齊納二極管包括：

P型襯底200；

N型摻雜區域201，位于所述P型襯底200上；

P+區域202，位于所述N型摻雜區域201上的中間位置；

第一N+區域203和第二N+區域204，對稱的位于所述N型摻雜區域301上的兩端，且所述第一N+區域203和所述P+區域202間存在第三間隙，所述第二N+區域203和所述P+區域202間存在第四間隙；

SAB?205，位于所述第一N+區域203上、所述第二N+區域204上、所述P+區域202上、所述第三間隙和所述第四間隙上；

制備圖2所示的齊納二極管，包括：

在P型襯底200上進行N型離子摻雜，形成N型摻雜區域201，進行第一次退火處理；

在N型摻雜區域201內注入N型離子和P型離子，形成第一N+區域203、第二N+區域204和P+區域202，所述第一N+區域203和所述P+區域202間存在第三間隙，所述第二N+區域204和所述P+區域202間存在第四間隙；

進行第二次退火處理，且在第一N+區域203、第二N+區域204、P+區域202、所述第三間隙和所述第四間隙上分別制備SAB?205。

如圖3所示，所述同時用STI和SAB做隔離的齊納二極管包括：

P型襯底300；

N型摻雜區域301，位于所述P型襯底300上；

P+區域302，位于所述N型摻雜區域301上的中間位置；

第一N+區域303和第二N+區域304，均位于所述N型摻雜區域301上的兩端，且所述第一N+區域303與所述第二N+區域304對稱；

STI?306，位于所述第一N+區域、所述第二N+區域和所述P+區域外的N型摻雜區域301上，且所述STI?306與所述P+區域之間存在對稱分布的第一間隙和第二間隙；

SAB?305，位于所述第一N+區域303上、所述第二N+區域304上、所述P+區域302上、所述第一間隙上和所述第二間隙上。

制備圖3所示的齊納二極管的方法包括：

在P型襯底300上制備STI?306，從而定義了所述第一N+區域303和所述第二N+區域304的位置；

在P型襯底300上進行N型離子摻雜，形成N型摻雜區域301，進行第一次退火處理；