[發明專利]非易失性存儲器及其讀取電路

有效

• 申請號: 201110028254.0
• 申請日: 2011-01-26
• 公開（公告）號: CN102044299A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種非易失性存儲器的讀取電路，包括用于產生于與位線電流相同的鏡像電流的鏡像單元以及根據鏡像電流讀取存儲單元數據的數據讀取單元，其特征在于，還包括：與所述位線連接的預充電單元以及預放電單元；所述預充電單元以及預放電單元分別將位線的初始電位與目標電位相比較，對位線充電或放電，將位線電位鉗位至目標電位。

2.如權利要求1所述的讀取電路，其特征在于，所述預充電單元包括充電開關以及充電鉗位器；所述充電開關連接至電源線，充電鉗位器連接至位線；所述充電開關用于接收外部輸入的第一控制信號，開啟或關閉預充電單元；所述充電鉗位器用于在充電時，將位線電位鉗位至目標電位。

3.如權利要求2所述的讀取電路，其特征在于，所述充電開關為場效應晶體管，源極與電源線連接，漏極與充電鉗位器連接，柵極接收所述控制信號。

4.如權利要求2所述的讀取電路，其特征在于，所述充電鉗位器包括：漏極與充電開關連接，源極與位線連接的第一MOS管；正端輸入目標電位，負端輸入位線電位，輸出端連接第一MOS管的柵極的運放比較器。

5.如權利要求4所述的讀取電路，其特征在于，當位線電位低于目標電位時，運放比較器輸出高電平，使得第一MOS管導通。

6.如權利要求1所述的讀取電路，其特征在于，所述預放電單元包括放電開關以及放電鉗位器；所述放電開關連接至地線，放電鉗位器連接至位線；所述放電開關用于接收外部輸入的第二控制信號，開啟或關閉預放電單元；所述放電鉗位器用于在放電時，將位線電位鉗位至目標電位。

7.如權利要求6所述的讀取電路，其特征在于，所述放電開關為場效應晶體管，源極與地線連接，漏極與放電鉗位器連接，柵極接收所述控制信號。

8.如權利要求6所述的讀取電路，其特征在于，所述放電鉗位器包括：源極與放電開關連接，漏極與位線連接的第二MOS管；負端輸入目標電位，正端輸入位線電位，輸出端連接第二MOS管的柵極的運放比較器。

9.如權利要求8所述的讀取電路，其特征在于，當位線電位高于目標電位時，運放比較器輸出高電平，使得第二MOS管導通。

10.如權利要求1所述的讀取電路，其特征在于，所述鏡像單元為鏡像電流源電路，其電流源端與位線連接，輸出端與數據讀取單元連接。

11.如權利要求10所述的讀取電路，其特征在于，所述數據讀取單元包括參考電流源以及緩沖寄存器；所述緩沖寄存器用于暫存存儲單元數據，其輸入端連接鏡像單元輸出端以及參考電流源的輸出端。

12.一種包括權利要求1至11任意一項所述讀取電路的非易失性存儲器。