[發明專利]“W”型銻化物二類量子阱的外延生長方法有效
| 申請號： | 201110027237.5 | 申請日： | 2011-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN102157903A | 公開（公告）日： | 2011-08-17 |
| 發明（設計）人： | 迂修;張宇;王國偉;徐應強;徐云;宋國峰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343;C30B25/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 型銻化物二類 量子 外延 生長 方法 | ||
1.一種“W”型銻化物二類量子阱的外延生長方法，包括如下步驟：
步驟1：選擇一襯底；
步驟2：對該襯底進行脫氧除氣處理并觀察表面再構；
步驟3：在該襯底上依次生長緩沖層、10個周期的“W”結構二類量子阱有源區和GaSb蓋層。
2.根據權利要求1所述的“W”型銻化物二類量子阱的外延生長方法，其中該襯底為GaSb(001)襯底。
3.根據權利要求1所述的“W”型銻化物二類量子阱的外延生長方法，其中該緩沖層的材料為GaSb。
4.根據權利要求1所述的“W”型銻化物二類量子阱的外延生長方法，其中該10個周期的“W”結構二類量子阱有源區的每個周期包括：一Al0.35Ga0.65Sb壘層，在Al0.35Ga0.65Sb壘層上依次生長有InAs電子阱層、InSb過渡層、空穴阱層、InSb過渡層、InAs電子阱層和Al0.35Ga0.65Sb壘層，該InSb過渡層和InSb過渡層形成InSb界面，同時抑制GaAs界面的產生。
5.根據權利要求4所述的“W”型銻化物二類量子阱的外延生長方法，其中空穴阱層包括下GaSb層及在其上依次生長的InSb層和上GaSb層。
6.根據權利要求1所述的“W”型銻化物二類量子阱的外延生長方法，其中所述的脫氧除氣處理并觀察表面再構，是指脫氧的溫度為630℃，再將溫度升至660℃除氣，15分鐘后降至610℃，生長5min的GaSb后降溫至490℃觀察到再構。
7.根據權利要求5所述的“W”型銻化物二類量子阱的外延生長方法，其中空穴阱層中的下GaSb層、InSb層和上GaSb層的生長時間分別為9s、2s、9s。
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