[發明專利]光刻膠層的形成方法無效
| 申請號： | 201110025603.3 | 申請日： | 2011-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN102610498A | 公開（公告）日： | 2012-07-25 |
| 發明（設計）人： | 唐蓉;錢志浩 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光刻膠層的形成方法，其特征在于，包括下列步驟：
在晶圓上涂覆光刻膠層；
對光刻膠層進行軟烘烤，優化軟烘烤溫度和時間；
對光刻膠層進行固膠處理，優化固膠溫度和時間，使軟烘烤及固膠后光刻膠層的縮膠量最小。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述優化后的烘烤溫度為118℃～122℃，烘烤時間為85s～95s。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述優化后的烘烤溫度為120℃，烘烤時間為90s。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述固膠分為第一階段和第二階段，優化固膠第二階段的溫度和時間。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述優化后固膠第二階段的溫度是135℃～145℃，烘烤時間為65s～75s。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述優化后固膠第二階段的溫度是140℃，烘烤時間為70s。
7.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述固膠第一階段的溫度是100℃～110℃，烘烤時間為25s～35s。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述固膠第一階段的溫度是105℃，烘烤時間為30s。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
