[發明專利]硅基板上的圖案修復方法和硅基板上的圖案修復裝置

無效

• 申請號: 201110025366.0
• 申請日: 2011-01-19
• 公開（公告）號: CN102140638A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 西村榮一;田原慈;山下扶美子
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23F1/12
• 分類號: C23F1/12;C23F1/08
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種硅基板上的圖案修復方法，將在通過蝕刻在硅基板上形成的圖案之間生長的異物除去，使該圖案的形狀恢復，該硅基板上的圖案修復方法的特征在于，具有：

將所述硅基板收容于腔室內，將所述硅基板加熱到160℃以上的加熱工序。

2.如權利要求1所述的硅基板上的圖案修復方法，其特征在于，

所述圖案的線寬為32nm以下。

3.如權利要求1或2所述的硅基板上的圖案修復方法，其特征在于，

所述加熱工序中的加熱溫度為200℃以上500℃以下。

4.如權利要求1或2中任一項所述的硅基板上的圖案修復方法，其特征在于，還具有：

將所述硅基板暴露在HF氣體氣氛中的工序。

5.如權利要求4所述的硅基板上的圖案修復方法，其特征在于，

同時進行將所述硅基板暴露在HF氣體氣氛中的工序和所述加熱工序。

6.如權利要求1或2中任一項所述的硅基板上的圖案修復方法，其特征在于，

所述異物含有氟硅酸銨。

7.如權利要求1或2中任一項所述的硅基板上的圖案修復方法，其特征在于，

所述異物含有二氧化硅。

8.一種硅基板上的圖案修復裝置，其特征在于，包括：

收容硅基板的腔室；

將收容于所述腔室內的所述硅基板加熱到160℃以上的加熱機構；和

向所述腔室內供給HF氣體，將所述硅基板暴露在HF氣體氣氛中的HF氣體供給機構，

利用所述加熱機構加熱所述硅基板，并利用所述HF氣體供給機構將所述硅基板暴露在HF氣體氣氛下，由此將在通過蝕刻形成于所述硅基板上的圖案之間生長的異物除去，使該圖案的形狀恢復。