[發(fā)明專利]一種集成封裝的射頻前端系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110024601.2
• 申請日: 2011-01-23
• 公開（公告）號: CN102158244A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設計）人: 李家林;肖紹球;高子陽;楊程;王秉中
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H04B1/38
• 分類號: H04B1/38;H01L23/31;H01Q1/22;H01Q1/38
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種集成封裝的射頻前端系統(tǒng)，包括三層結構：上層結構包括天線基板，天線的輻射結構位于天線基板上表面，天線的金屬地板位于天線基板的下表面；中間結構在橫向方向上包括由彼此間隔的4層介質層和5層金屬層構成的直流偏置網絡區(qū)域和由4層介質層構成的區(qū)域，其中：直流偏置網絡區(qū)域在垂直方向上與下層結構的集成電路相對應，4層介質層構成的區(qū)域在垂直方向上與上層結構的天線輻射結構相對應；直流偏置網絡區(qū)域中間具有一個直流饋電金屬柱，直流饋電金屬柱上端穿過天線基板作為直流電源接入端口、下端穿過下層集成電路基板與射頻前端電路相連，直流偏置網絡區(qū)域的第1、3、5層金屬層之間通過周期性分布的金屬化過孔連接并與天線的金屬地板相連，第2、4層金屬層中間具有一個與直流饋電金屬柱相連的平面電感，且第2、4層金屬層之間通過金屬化過孔連接，第1、3、5層金屬層與第2、4層金屬層之間彼此絕緣；下層結構為集成電路基板，射頻前端電路布置于集成電路基板下表面；天線輻射結構的饋電點通過金屬饋電柱穿過介質層連接到下層集成電路基板，金屬饋電柱與天線的金屬地板之間相互絕緣。

2.根據權利要求1所述的集成封裝的射頻前端系統(tǒng)，其特征在于，所述集成封裝的射頻前端系統(tǒng)采用LTCC工藝實現。