[發明專利]基于高階腔體諧振模式的高增益集成天線無效
| 申請號： | 201110024228.0 | 申請日： | 2011-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN102142617A | 公開（公告）日： | 2011-08-03 |
| 發明（設計）人： | 羅國清;董林璽;黃剛;孫玲玲 | 申請（專利權）人： | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號： | H01Q13/18 | 分類號： | H01Q13/18;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 杜軍 |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 高階腔體 諧振 模式 增益 集成 天線 | ||
【權利要求書】：
1.基于高階腔體諧振模式的高增益集成天線，其特征在于該天線包括：介質基片；
涂覆在介質基片上表面的上金屬層和涂覆在介質基片下表面的下金屬層；
多個貫穿上金屬層、介質基片和下金屬層的電互連單元順序排列構成的電互連陣列，構成電互連陣列的任意兩個相鄰電互連單元之間的占空比大于1；
上金屬層、下金屬層和電互連陣列包圍的區域構成腔體；
伸入腔體內的饋電單元；
在腔體內部區域內貫穿上金屬層、介質基片和下金屬層的多個電互連單元組構成的多個調諧電互連組，構成調諧電互連組的任意兩個相鄰電互連單元之間的占空比大于1；
和在腔體區域內部的上金屬層的開設的多條相互平行的輻射縫隙。
2.如權利要求1所述的基于高階腔體諧振模式的高增益集成天線，其特征在于所述的介質基片為單層介質基片。
3.如權利要求1所述的基于高階腔體諧振模式的高增益集成天線，其特征在于所述的電互連陣列為具有開口的環形，饋電單元為由環型電互連陣列的開口處伸入的微帶線、共面條帶線或共面波導傳輸線。
4.如權利要求1所述的基于高階腔體諧振模式的高增益集成天線，其特征在于所述的電互連單元為金屬化通孔或金屬柱。
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