[發(fā)明專利]一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110023904.2
• 申請日: 2011-01-21
• 公開（公告）號: CN102051657A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安茂忠;初紅濤;張錦秋;楊培霞
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: C25D15/00
• 分類號: C25D15/00;C25D3/32
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，其特征在于納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，按以下步驟進行：一、將粒徑為10～100nm的SiC納米顆粒用甲磺酸浸泡2～5h，然后加入分散劑，機械攪拌2～6h，轉(zhuǎn)速為1000～3000r/min，接著用頻率為30～90KHz的超聲波攪拌1～2h，之后依次加入甲磺酸亞錫、光亮劑、共沉積促進劑、主鹽穩(wěn)定劑和去離子水組成電鍍液，電鍍液中SiC納米顆粒的濃度為1～30g/L，分散劑的濃度為40～300g/L，甲磺酸的濃度為100～250g/L，甲磺酸亞錫的濃度為20～80g/L，光亮劑的濃度為0.5～10mL/L，共沉積促進劑的濃度為5～30g/L，主鹽穩(wěn)定劑的濃度為10～200g/L；二、將陰極銅箔與純錫陽極板平行放置于鍍液中，且保持與陽極相對的陰極面與槽底形成的角度為90°～180°；三、調(diào)整陰極電流密度為2～8A/dm²，于溫度30℃和常壓下，機械攪拌30s后停止，然后施鍍5min，接著再機械攪拌30s，然后施鍍5min，機械攪拌和施鍍?nèi)绱私惶孢M行，直至施鍍時間總計達到20min，機械攪拌轉(zhuǎn)速為1000～3000r/min，在機械攪拌和施鍍過程中始終保持壓縮氮氣攪拌，氮氣流速為10～200mL/min，即完成納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備；其中步驟一中的分散劑由10～200g/L的惰性電解質(zhì)和0.5～10g/L的表面活性劑組成，所述的惰性電解質(zhì)為氯化鉀，所述的表面活性劑由十六烷基三甲基溴化銨與聚乙烯吡咯烷酮按質(zhì)量比1∶2組成；步驟一中的光亮劑由5g/L的4-(3’-氨基苯甲酰基)-鄰苯二甲酸酯、8g/L的3-萘酰基-3-羥基-1，2-丙二氨、12g/L的N，N-二羥乙基丙酮和10g/L的乙二醛組成；步驟一中的共沉積促進劑由試劑A、試劑B和試劑C組成，所述的試劑A為苯亞甲基丙酮、苯甲醛、1，3-二苯基丙烯酮、4-對甲氨基苯甲醛縮苯胺、鄰氯苯胺、甲基丙烯酸中的一種或其中幾種的組合，所述的試劑B為乙醇、丙酮、十六烷基二乙醇胺聚氧乙烯-15醚、2，5一二甲氧基苯甲醛、甲醛、聚氧乙烯醚、N，N-二甲基甲酰胺中的一種或其中幾種的組合，所述的試劑C為氯化鈰、氯化鉈、氯化鑭中的一種或其中幾種的組合；步驟一中的主鹽穩(wěn)定劑為對苯二酚。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，其特征在于步驟一中SiC納米顆粒的濃度為5～25g/L。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，其特征在于步驟一中分散劑的濃度為100～250g/L。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，其特征在于步驟一中甲磺酸的濃度為150～200g/L。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，其特征在于步驟一中甲磺酸亞錫的濃度為40～60g/L。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，其特征在于步驟一中光亮劑的濃度為2～8mL/L。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，其特征在于步驟一中共沉積促進劑的濃度為10～25g/L。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，其特征在于步驟一中主鹽穩(wěn)定劑的濃度為50～150g/L。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，其特征在于步驟二中與陽極相對的陰極面與槽底形成的角度為120°～150°。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種納米級Sn/SiC復(fù)合鍍層的制備方法，其特征在于步驟三中氮氣流速為50～150mL/min。