[發明專利]高壓LDMOS器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110022981.6
• 申請日: 2011-01-20
• 公開（公告）號: CN102610641A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 張帥;劉坤;董科
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種高壓LDMOS器件，其特征是，所述高壓LDMOS器件的結構為：

在低摻雜襯底中具有漂移區和體區，漂移區的摻雜類型與襯底相反，體區的摻雜類型與襯底相同；

在漂移區的表面具有漂移區反型層，漂移區反型層的摻雜類型與漂移區相反；

在體區的表面具有隔離結構一；在漂移區的表面具有隔離結構二，隔離結構二還在漂移區反型層之上；在漂移區的表面還具有隔離結構三和隔離結構四；

在體區和隔離結構二之上具有多晶硅柵極和多晶硅場板；多晶硅柵極的一端在體區之上，另一端在隔離結構二之上；多晶硅場板在隔離結構二之上；

在體區之中具有體電極引出端和源區引出端，體電極引出端在隔離結構一和源區引出端之間，摻雜類型與體區摻雜類型相同；源區引出端在體電極引出端和多晶硅柵極之間，摻雜類型與體區相反；

在漂移區之中具有漏區引出端和反型摻雜環，漏區引出端的摻雜類型與漂移區相同，反型摻雜環的摻雜類型與漏區引出端相反；所述反型摻雜環從俯視角度呈現為環形圍繞著漏區引出端，從剖視角度則呈現為兩段相互間隔的結構，其中的一段結構在隔離結構二和隔離結構三之間；漏區引出端10在隔離結構三和隔離結構四之間；

源極、柵極和漏極均為金屬電極；源極的底部同時接觸體電極引出端和源極引出端；柵極的底部接觸多晶硅柵極；漏極的底部同時接觸漏端多晶硅場板、反型摻雜環和漏區引出端。

2.一種高壓LDMOS器件，其特征是，所述高壓LDMOS器件的結構為：

在低摻雜襯底中具有漂移區和體區，漂移區的摻雜類型與襯底相反，體區的摻雜類型與襯底相同；

在漂移區的表面具有漂移區反型層，漂移區反型層的摻雜類型與漂移區相反；

在體區的表面具有隔離結構一；在漂移區的表面具有隔離結構二，隔離結構二還在漂移區反型層之上；在漂移區的表面還具有隔離結構三；

在體區和隔離結構二之上具有多晶硅柵極和多晶硅場板；多晶硅柵極的一端在體區之上，另一端在隔離結構二之上；多晶硅場板在隔離結構二之上；

在體區之中具有體電極引出端和源區引出端，體電極引出端在隔離結構一和源區引出端之間，摻雜類型與體區相同；源區引出端在體電極引出端和多晶硅柵極之間，摻雜類型與體區相反；

在漂移區之中具有漏區引出端和反型摻雜環，漏區引出端的摻雜類型與漂移區相同，反型摻雜環的摻雜類型與漂移區相反；所述反型摻雜環從俯視角度呈現為環形圍繞著漏區引出端，從剖視角度則呈現為兩段相互間隔的結構，其中的一段結構在隔離結構二和漏區引出端之間；漏區引出端在反型摻雜環和隔離結構三之間；

源極、柵極和漏極均為金屬電極；源極的底部同時接觸體電極引出端和源極引出端；柵極的底部接觸多晶硅柵極；漏極的底部同時接觸漏端多晶硅場板、反型摻雜環和漏區引出端。