[發明專利]一種具有親水性化合物薄膜的散熱單元及親水性化合物薄膜沉積方法

有效

• 申請號: 201110022687.5
• 申請日: 2011-01-18
• 公開（公告）號: CN102593083A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 楊修維
• 申請（專利權）人: 奇鋐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/42
• 分類號: H01L23/42
• 代理公司: 北京挺立專利事務所(普通合伙) 11265
• 代理人: 葉樹明

1.一種具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，包含：

一個金屬本體，具有一個腔室，所述腔室具有：

一個蒸發部，設于所述腔室內，所述蒸發部具有復數第一導流部，所述第一導流部是由復數第一導流體間隔排列所組成，所述第一導流體間形成至少一個第一流道，所述第一流道至少一端為自由端并連接一個自由區域；

一個冷凝部，設于前述腔室內相反前述蒸發部的另側，所述冷凝部內具有復數第二導流部，所述第二導流部是由復數第二導流體間隔排列所組成，所述第二導流體間形成至少一個第二流道；

一個連接部，設于前述蒸發部及所述冷凝部之間，所述連接部具有至少一個第一連通孔組及至少一個第二連通孔組，所述第一、二連通孔組連通所述蒸發部及所述冷凝部，所述蒸發部及所述冷凝部及所述連接部共同界定一個導流結構；

一個親水性化合物薄膜，披附于所述蒸發部及所述冷凝部及所述連接部及所述腔室表面。

2.如權利要求1所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述散熱單元是均溫板及平板式熱管其中任一。

3.如權利要求1所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述親水性化合物薄膜可以是氧化物。

4.如權利要求1所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述親水性化合物薄膜可以是硫化物。

5.如權利要求3所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述氧化物是選自于氧化硅(SiO₂)及氧化鈦(TiO₂)及氧化鋁(A1₂O₃)及氧化鋯(ZrO2)及氧化鈣(CaO)及氧化鉀(K₂O)及氧化鋅(ZnO)所組成的群組。

6.如權利要求1所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述金屬本體是選自于銅及鋁及鎳及不銹鋼所組成的群組。

7.如權利要求1所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述第一導流體是一個長條狀肋條，所述等長條狀肋條橫向間隔排列，所述第一流道形成于所述長條狀肋條之間。

8.如權利要求1所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述第一導流體縱向間隔排列。

9.如權利要求1所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述第二導流體是一個長條狀肋條，所述長條狀肋條橫向間隔排列，所述第二流道形成于所述長條狀肋條之間。

10.如權利要求1所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述第二導流體縱向間隔排列。

11.如權利要求1所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述等第一、二導流體間具有復數凹坑。

12.如權利要求12所述的具有親水性化合物薄膜的散熱單元，其特征在于，所述凹坑是呈圓形及方形及三角形及魚鱗狀及幾何形狀其中任一。

13.一種散熱單元的親水性化合物薄膜沉積方法，其特征在于，是包含下列步驟：

提供一個具有腔室及導流結構的散熱單元；

在前述散熱單元的腔室及導流結構表面涂布至少一個親水性化合物。

14.如權利要求13所述的散熱單元的親水性化合物薄膜沉積方法，其特征在于，所述散熱單元是均溫板及平板式熱管其中任一。

15.如權利要求13所述的散熱單元的親水性化合物薄膜沉積方法，其特征在于，在散熱單元涂布親水性化合物是采用物理氣相沉積(PVD)及化學氣相沉積(CVD)及溶膠凝膠法(sol?gel)。

16.如權利要求15所述的散熱單元的親水性化合物薄膜沉積方法，其特征在于，所述溶膠凝膠法是浸漬拉提式及沉降式及旋轉涂布式及旋轉涂布式及涂刷式及沾濕式及浸漬拉提法其中任一。