[發明專利]光伏電池以及半導體元件的制作方法

有效

• 申請號: 201110022187.1
• 申請日: 2011-01-18
• 公開（公告）號: CN102315316A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 涂志強;陳俊郎
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;G03F7/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;劉文意

1.一種光伏電池的制作方法，包括：

提供一半導體基板，該半導體基板具有一第一表面與一第二表面，該第二表面相對于該第一表面；

在該半導體基板中形成一鄰近該第一表面的第一摻雜區；

進行一納米壓印工藝與一蝕刻工藝以于該半導體基板中形成一溝槽，該溝槽自該第一表面延伸入該半導體基板中；

于該半導體基板中形成一位于該溝槽中的第二摻雜區，該第二摻雜區的摻雜濃度大于該第一摻雜區的摻雜濃度；以及

以一導電材料填滿該溝槽。

2.如權利要求1所述的光伏電池的制作方法，其中提供具有該第一表面的該半導體基板的方法包括：

使該第一表面形成一紋理結構。

3.如權利要求1所述的光伏電池的制作方法，其中進行該納米壓印工藝的方法包括：

在該半導體基板的該第一表面上形成一遮蔽層；

提供一模具，該模具具有一圖案；以及

將該圖案轉移至該遮蔽層，以依據該圖案在該遮蔽層中形成一厚度差。

4.如權利要求1所述的光伏電池的制作方法，其中該蝕刻工藝的方法包括：

進行一干式蝕刻工藝或是一濕式蝕刻工藝，其中進行該干式蝕刻工藝的方法包括使用氟化硫、氟化碳或氯氣等離子體，進行該濕式蝕刻工藝的方法包括使用氫氟酸溶液。

5.如權利要求1所述的光伏電池的制作方法，其中形成該第二摻雜區的方法包括：

進行一熱擴散工藝或一離子注入工藝。

6.如權利要求1所述的光伏電池的制作方法，其中以該導電材料填滿該溝槽的方法包括：

進行一網板印刷工藝。

7.如權利要求1所述的光伏電池的制作方法，其中：

該半導體基板為一P型摻雜的基板；

該第一摻雜區為一N型摻雜區；以及

該第二摻雜區為一N+型摻雜區。

8.一種半導體元件的制作方法，包括：

提供一半導體基板，該半導體基板具有一紋理結構化表面；

提供一模具，該模具具有一可設計的圖案特征，該可設計的圖案特征定義出一電極線的位置；

于該半導體基板上形成一光致抗蝕劑層；

將具有該可設計的圖案特征的該模具壓入該光致抗蝕劑層中；

由該光致抗蝕劑層移除該模具，并留下一圖案化光致抗蝕劑層，該圖案化光致抗蝕劑層具有一開口，該開口暴露出該半導體基板；

蝕刻該半導體基板的由該開口所暴露出的部分，以于該半導體基板中形成一溝槽，該溝槽由該紋理結構化表面延伸入該半導體基板中；

于該半導體基板中形成一位于該溝槽中的第一摻雜區；以及

以一導電材料填滿該溝槽，以形成該電極線。

9.如權利要求8所述的半導體元件的制作方法，還包括：

形成一鄰近該紋理結構化表面的第二摻雜區，該第一摻雜區的摻雜濃度大于該第二摻雜區的摻雜濃度。

10.如權利要求8所述的半導體元件的制作方法，其中該基板的該紋理結構化表面包括一平坦表面部，該平坦表面部定義出一接觸區域，且該可設計的圖案特征包括一凸起結構，該凸起結構定義出該電極線的位置；以及

其中將具有該可設計的圖案特征的該模具壓入該光致抗蝕劑層的方法包括：

使該凸起結構與該接觸區域對齊。