[發(fā)明專利]一種降低硅片表面光反射率的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110021866.7
• 申請日: 2011-01-12
• 公開（公告）號: CN102157608A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉堯平;王燕;梅增霞;杜小龍
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院物理研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：將硅片浸入氫氟酸與含有Ag離子、Cu離子、Ni離子或Mg離子的鹽的混合溶液中進(jìn)行刻蝕；以及

步驟2：將刻蝕后的硅片放入硝酸或者王水中清洗以去除表面的金屬覆蓋物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，所述的硅包括各種電阻率、取向、摻雜類型以及各種表面形貌的單晶硅、多晶硅和非晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的降低硅片表面光反射率的方法，所述摻雜類型為p型、n型或本征型；所述表面形貌為非拋光表面結(jié)構(gòu)或拋光表面結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，所述的混合溶液為HF與含有AgNO₃、Cu(NO₃)₂、Ni(NO₃)₂、或Mg(NO₃)₂金屬離子的鹽的混合溶液。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，所述的氫氟酸的濃度為0.5mol/L-10mol/L，所述含有Ag離子、Cu離子、Ni離子或Mg離子的鹽的濃度為0.01mol/L-0.5mol/L。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，所述的刻蝕的時(shí)間為30s-10min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，所述的刻蝕的深度為100nm-2μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，還包括步驟3：將步驟2中得到的硅片用去離子水清洗后用高純氮?dú)獯蹈伞?/p>

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，于所述刻蝕的過程中進(jìn)行加熱、紫外光輻照或超聲處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的降低硅片表面光反射率的方法，其特征在于，所述加熱的溫度在40℃-100℃之間。

11.一種權(quán)利要求1至10中任意一項(xiàng)所述的降低硅片表面光反射率的方法所得到的硅片。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的硅片，其特征在于，所述硅片的表面為納米多孔結(jié)構(gòu)。