[發(fā)明專利]用于相變存儲器的Si-Sb-Te材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110021605.5 | 申請日： | 2011-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN102130298A | 公開（公告）日： | 2011-07-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 饒峰;宋志棠;吳良才;任堃;周夕淋 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 相變 存儲器 si sb te 材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于相變存儲器的Si-Sb-Te材料，其特征在于：該Si-Sb-Te材料的化學式為SixSb2Te3，0＜x≤4。
2.根據(jù)權利要求1所述用于相變存儲器的Si-Sb-Te材料，其特征在于：該Si-Sb-Te材料在電信號操作下實現(xiàn)高低阻值的反復轉換，并在沒有電信號操作的情況下維持阻值不變。
3.根據(jù)權利要求1所述用于相變存儲器的Si-Sb-Te材料，其特征在于：在所述SixSb2Te3中，Si的含量滿足3≤x≤4。
4.根據(jù)權利要求1所述用于相變存儲器的Si-Sb-Te材料，其特征在于：在所述SixSb2Te3中，Si的含量滿足3≤x≤3.5。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所，未經中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110021605.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
