[發明專利]半導體裝置的制造方法以及半導體裝置

有效

• 申請號: 201110021520.7
• 申請日: 2007-06-14
• 公開（公告）號: CN102136478A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 王文生
• 申請（專利權）人: 富士通半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L27/115;H01L21/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 菅興成;吳小瑛

1.一種半導體裝置，具有鐵電電容器，其特征在于，具有：

與晶體管電連接的第一金屬膜；

形成在所述第一金屬膜上，且結晶粒徑小于所述第一金屬膜的結晶粒徑的第二金屬膜；

形成在所述第二金屬膜上的鐵電膜；以及

形成在所述鐵電膜上的導電膜。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，以薄于所述第一金屬膜的膜厚形成有所述第二金屬膜。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二金屬膜的膜厚為10nm～40nm。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二金屬膜的結晶粒徑為20nm以下。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二金屬膜為貴金屬膜。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二金屬膜的元素與所述第一金屬膜的元素相同。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一、第二金屬膜含有銥。