[發明專利]BSI圖像傳感器形成方法

有效

• 申請號: 201110021335.8
• 申請日: 2011-01-19
• 公開（公告）號: CN102117819A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 楊瑞坤;王景
• 申請（專利權）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/304;H01L21/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括第一表面和與之相對的第二表面；

在第一表面形成第一外延層，所述半導體襯底相對于所述第一外延層具有較高的研磨選擇比；

在第一外延層表面形成第二外延層，所述第二外延層包括朝向第一外延層的下表面，和背離第一外延層的上表面；

沿所述第二表面研磨所述半導體襯底，直至暴露第一外延層；

去除第一外延層，暴露第二外延層的下表面；

在第二外延層的下表面依次形成有濾光片和微透鏡。

2.依據權利要求1的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底相對于所述第一外延層的研磨選擇比為3∶1-10∶1。

3.依據權利要求1的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一外延層的材料是砷化鎵。

4.依據權利要求1的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一外延層的形成工藝為金屬有機化學氣相沉積工藝。

5.依據權利要求3或4的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一外延層的形成參數為：襯底溫度600-800℃，氣壓50-500torr，反應氣體為GaRn與AsH₃，或者GaRn與AsRn’，其中Rn，Rn’為烷基。

6.依據權利要求3或4的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一外延層的厚度為1～50μm。

7.依據權利要求3的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，采用含有H₂SO₄或HCl的溶液濕法去除第一外延層。

8.依據權利要求1的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二外延層的材料是硅。

9.依據權利要求1的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二外延層的形成工藝為外延工藝。

10.依據權利要求8或9的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述外延沉積工藝的含硅氣體為SiH₄或SiH₂Cl₂或Si₂H₆，含硅氣體的流量為10-1000sccm，溫度600-1100℃、壓強1-500Torr，還包括HCl氣體，HCl氣體的作用是提高第二外延層的外延選擇性。

11.依據權利要求1的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，形成第二外延層的步驟還包括對第二外延層進行摻雜，所述摻雜采用離子注入摻雜法或者原位摻雜法。

12.依據權利要求1的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，沿所述第二表面研磨所述半導體襯底分為兩個研磨階段，其中，第一研磨階段為機械研磨，第二研磨階段為化學機械研磨。

13.依據權利要求12的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，當所述半導體襯底的厚度為50-100μm時，第一研磨階段結束。

14.依據權利要求12的BSI圖像傳感器的形成方法，其特征在于，第一研磨階段結束后，開始第二研磨階段，直至暴露所述第一外延層。