[發(fā)明專利]一種改善硅片周邊光刻膠形貌的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110021322.0
• 申請(qǐng)日: 2011-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN102608861A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟鴻林;王雷;郭曉波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/00
• 分類號(hào): G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種改善硅片周邊光刻膠形貌的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，光刻膠的旋涂、烘烤；

步驟2，通過掩模版擋板定義出單個(gè)曝光區(qū)域的大小，再通過光刻機(jī)的曝光系統(tǒng)對(duì)硅片周邊進(jìn)行曝光，此次曝光無(wú)需掩模版；

步驟3，常規(guī)的帶掩模版的圖形區(qū)域曝光；

步驟4，顯影，形成光刻膠圖形并去除硅片周邊光刻膠。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅片周邊光刻膠形貌的方法，其特征在于，在步驟1中，所述光刻膠是G-line，I-line，KrF或ArF類型的光刻膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅片周邊光刻膠形貌的方法，其特征在于，在步驟2中，所述光刻機(jī)是G-line，I-line，KrF或ArF光源的光刻機(jī)，所述光刻機(jī)是步進(jìn)式、掃描式或浸沒式光刻機(jī)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的改善硅片周邊光刻膠形貌的方法，其特征在于，在步驟2中，所述的單個(gè)曝光區(qū)域的大小，根據(jù)硅片周邊對(duì)圓弧精度的需求進(jìn)行調(diào)節(jié)，對(duì)圓弧精度要求越高，單個(gè)曝光區(qū)域就越小；對(duì)圓弧精度要求越低，單個(gè)曝光區(qū)域就越大。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的改善硅片周邊光刻膠形貌的方法，其特征在于，在步驟2中，所述的單個(gè)曝光區(qū)域的大小，根據(jù)硅片周邊去膠的多少進(jìn)行調(diào)節(jié)，硅片周邊去膠越少，單個(gè)曝光區(qū)域就越小；硅片周邊去膠越多，單個(gè)曝光區(qū)域就越大。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅片周邊光刻膠形貌的方法，其特征在于，步驟2和步驟3的順序可互換，即步驟3可在步驟2之前先完成。