[發(fā)明專利]單元像素、圖像傳感器、相機和處理器基系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110021282.X
• 申請日: 2011-01-17
• 公開（公告）號: CN102157534A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭泰燮;金范錫;安正卓;李景鎬
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/369
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;李娜娜

1.一種單元像素，所述單元像素包括：

光電二極管；

導電層，

光子折射微透鏡，在光電二極管和導電層之間，光子折射微透鏡被構(gòu)造為朝光電二極管的中心區(qū)域折射由導電層反射的光子。

2.如權(quán)利要求1所述的單元像素，其中，光子折射微透鏡的至少一個表面沿導電層的方向凸起。

3.如權(quán)利要求2所述的單元像素，其中，光子折射微透鏡的凸起區(qū)域的最厚部分的厚度為2000至3500

4.如權(quán)利要求2所述的單元像素，所述單元像素還包括：

在光子折射微透鏡和導電層之間的至少一個平坦化層。

5.如權(quán)利要求4所述的單元像素，其中，光子折射微透鏡的折射率大于所述至少一個平坦化層的折射率。

6.如權(quán)利要求5所述的單元像素，其中，所述至少一個平坦化層包含氧化硅，光子折射微透鏡包含氮化硅。

7.一種單元像素，所述單元像素包括：

基底；

光電二極管，在基底上；

光子折射微透鏡，在光電二極管上且具有凸起表面；

平坦化層，在光子折射微透鏡的凸起表面上；

金屬層，在平坦化層上。

8.如權(quán)利要求7所述的單元像素，其中，光子折射微透鏡的具有凸起表面的區(qū)域的最厚部分的厚度為2000至3500

9.如權(quán)利要求8所述的單元像素，其中，光子折射微透鏡的折射率大于平坦化層的折射率。

10.如權(quán)利要求9所述的單元像素，其中，平坦化層包含氧化硅，光子折射微透鏡包含氮化硅。

11.一種背照式互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，所述背照式互補金屬氧化物半導體圖像傳感器包括：

像素陣列，包括多個單元像素，每個單元像素包括光電二極管、導電層和光子折射微透鏡，光子折射微透鏡被構(gòu)造為將由導電層反射的光朝光電二極管的中心區(qū)域折射；

行解碼器；

列解碼器。

12.如權(quán)利要求11所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，其中，光子折射微透鏡沿導電層的方向至少部分地凸起。

13.如權(quán)利要求12所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，其中，光子折射微透鏡的凸起區(qū)域的最厚部分的厚度為2000至3500

14.如權(quán)利要求12所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，其中，所述多個單元像素中的至少一個單元像素還包括在光子折射微透鏡和導電層之間的至少一個平坦化層。

15.如權(quán)利要求14所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，其中，光子折射微透鏡的折射率大于所述至少一個平坦化層的折射率。

16.如權(quán)利要求15所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，其中，平坦化層包含氧化硅，光子折射微透鏡包含氮化硅。

17.一種相機，所述相機包括如權(quán)利要求11所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器。

18.一種處理器基系統(tǒng)，所述處理器基系統(tǒng)包括：

處理器；

隨機存取存儲器；

硬盤驅(qū)動器；

如權(quán)利要求11所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器；

輸入/輸出裝置。