[發(fā)明專利]放電加工系統(tǒng)及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110021266.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-01-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102601472A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐惠宇;李鵬;魏斌;彭志學(xué);馬克.J.格里森;約翰.F.茹拉夫卡;冷洪濱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號(hào): | B23H9/14 | 分類號(hào): | B23H9/14 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 放電 加工 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種放電加工系統(tǒng),包括:
電極,其用于在工件上加工通孔;
脈沖發(fā)生器,其可使所述電極和所述工件具有相反的極性;
加工液源,其可提供通過(guò)所述電極與所述工件間的加工液;
位置控制元件,其可驅(qū)動(dòng)所述電極相對(duì)于所述工件運(yùn)動(dòng);
控制裝置,其可來(lái)控制所述脈沖發(fā)生器和所述位置控制元件來(lái)加工工件;及
穿透檢測(cè)單元,其可根據(jù)高平電壓持續(xù)時(shí)間、低平電壓持續(xù)時(shí)間和平均電壓值中的至少兩個(gè)來(lái)檢測(cè)用來(lái)加工所述通孔的穿透階段并與所述控制裝置通訊來(lái)控制所述穿透階段。
2.如權(quán)利要求1所述的放電加工系統(tǒng),其中所述穿透檢測(cè)單元包括可檢測(cè)所述電極和工件間電壓信號(hào)數(shù)據(jù)的電壓檢測(cè)元件、可接收所述電壓信號(hào)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)接收模塊、可處理接收的所述電壓信號(hào)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理模塊和與所述數(shù)據(jù)處理模塊相連并與所述控制裝置通訊以控制所述穿透階段的過(guò)程控制模塊。
3.如權(quán)利要求1所述的放電加工系統(tǒng),其中所述穿透檢測(cè)單元可進(jìn)一步包括可檢測(cè)所述電極位置信號(hào)數(shù)據(jù)的位置檢測(cè)元件,所述穿透檢測(cè)單元可進(jìn)一步根據(jù)位置信號(hào)數(shù)據(jù)來(lái)檢測(cè)所述穿透階段。
4.如權(quán)利要求1所述的放電加工系統(tǒng),其中所述穿透檢測(cè)單元可進(jìn)一步包括可檢測(cè)所述電極和工件間電流信號(hào)數(shù)據(jù)的電流檢測(cè)元件,所述穿透檢測(cè)單元可進(jìn)一步根據(jù)高平電流持續(xù)時(shí)間、低平電流持續(xù)時(shí)間和平均電流值中的至少一個(gè)來(lái)檢測(cè)所述穿透階段。
5.一種穿透檢測(cè)單元,包括:
數(shù)據(jù)接收模塊,其可至少接收用于加工通孔的放電加工過(guò)程中電極和工件間的電壓信號(hào)數(shù)據(jù);
數(shù)據(jù)處理模塊,其可處理所述電壓信號(hào)數(shù)據(jù),從而至少確定并處理高平電壓持續(xù)時(shí)間和低平電壓持續(xù)時(shí)間以產(chǎn)生響應(yīng)信號(hào);及
過(guò)程控制模塊,其可接收所述響應(yīng)信號(hào)以來(lái)進(jìn)行加工所述通孔的穿透階段的檢測(cè)。
6.如權(quán)利要求5所述的穿透檢測(cè)單元,其進(jìn)一步包括可檢測(cè)所述電壓信號(hào)數(shù)據(jù)的電壓檢測(cè)元件,所述數(shù)據(jù)處理模塊可進(jìn)一步處理所述電壓信號(hào)數(shù)據(jù)以確定平均電壓值,所述數(shù)據(jù)接收模塊可進(jìn)一步接收所述電極的位置信號(hào)數(shù)據(jù)以便所述數(shù)據(jù)處理模塊對(duì)其進(jìn)行處理分析。
7.一種放電加工方法,包括:
驅(qū)動(dòng)電極相對(duì)于工件運(yùn)動(dòng);
在所述電極與所述工件上通過(guò)電流并在其間通過(guò)加工液來(lái)在所述工件上加工通孔;
在放電加工過(guò)程中至少檢測(cè)并處理所述電極和工件間的電壓信號(hào)數(shù)據(jù)以產(chǎn)生高平電壓持續(xù)時(shí)間、低平電壓持續(xù)時(shí)間和平均電壓值中的至少兩個(gè);及
至少根據(jù)所述高平電壓持續(xù)時(shí)間、所述低平電壓持續(xù)時(shí)間和所述平均電壓值中的至少兩個(gè)來(lái)檢測(cè)并控制用于加工通孔的穿透階段。
8.如權(quán)利要求7所述的放電加工方法,其中所述檢測(cè)電壓信號(hào)數(shù)據(jù)及所述檢測(cè)穿透階段是通過(guò)穿透檢測(cè)單元進(jìn)行的,所述控制所述穿透階段是通過(guò)可與所述穿透檢測(cè)單元通訊的控制裝置進(jìn)行的,所述穿透檢測(cè)單元包括可檢測(cè)所述電壓信號(hào)數(shù)據(jù)的電壓檢測(cè)元件、可接收所述電壓信號(hào)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)接收模塊、可處理接收的所述電壓信號(hào)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理模塊和與所述數(shù)據(jù)處理模塊相連并與所述控制裝置通訊以控制所述穿透階段的過(guò)程控制模塊。
9.如權(quán)利要求8所述的放電加工方法,進(jìn)一步包括在檢測(cè)所述穿透階段前對(duì)相應(yīng)的所述高平電壓持續(xù)時(shí)間和所述低平電壓持續(xù)時(shí)間分別進(jìn)行相加以產(chǎn)生復(fù)數(shù)個(gè)高平電壓合成持續(xù)時(shí)間和復(fù)數(shù)個(gè)低平電壓合成持續(xù)時(shí)間。
10.如權(quán)利要求9所述的放電加工方法,進(jìn)一步包括在檢測(cè)所述穿透階段前于所述數(shù)據(jù)處理模塊中利用移動(dòng)分析法對(duì)所述高平電壓持續(xù)時(shí)間和低平電壓持續(xù)時(shí)間中的至少一個(gè)進(jìn)行處理以產(chǎn)生相應(yīng)的高平電壓指示信號(hào)和低平電壓指示信號(hào)中的至少一個(gè),該放電加工方法還包括處理所述平均電壓值以產(chǎn)生平均電壓指示信號(hào),其中檢測(cè)所述穿透階段是通過(guò)同時(shí)產(chǎn)生的所述高平電壓指示信號(hào)、所述低平電壓指示信號(hào)和所述平均電壓指示信號(hào)來(lái)檢測(cè)的。
11.如權(quán)利要求10所述的放電加工方法,進(jìn)一步包括在移動(dòng)分析法中計(jì)算所述高平電壓持續(xù)時(shí)間和所述低平電壓持續(xù)時(shí)間中的至少一個(gè)的中間值。
12.如權(quán)利要求8所述的放電加工方法,進(jìn)一步包括在檢測(cè)和控制所述穿透階段前通過(guò)所述穿透檢測(cè)單元檢測(cè)并處理所述電極的位置信號(hào)數(shù)據(jù),所述檢測(cè)和控制所述穿透階段可根據(jù)所述高平電壓持續(xù)時(shí)間、所述低平電壓持續(xù)時(shí)間、所述平均電壓值及所述位置信號(hào)數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行。
13.如權(quán)利要求8所述的放電加工方法,進(jìn)一步包括檢測(cè)并處理放電加工過(guò)程中所述電極和工件間的電流信號(hào)數(shù)據(jù)以產(chǎn)生高平電流持續(xù)時(shí)間、低平電流持續(xù)時(shí)間和平均電流值中的至少一個(gè)來(lái)促使所述穿透階段的檢測(cè)和控制。
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