[發(fā)明專利]一種自對準(zhǔn)薄膜晶體管的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110020672.5
• 申請日: 2011-01-18
• 公開（公告）號: CN102122620A
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張盛東;賀鑫;王漪;韓德棟;韓汝琦
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)深圳研究生院
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281
• 代理人: 郭燕

1.一種自對準(zhǔn)薄膜晶體管的制作方法，其特征在于包括：

柵電極生成步驟：在襯底正面上生成金屬柵電極；

柵介質(zhì)層生成步驟：在襯底正面上生成覆蓋在所述柵電極之上的柵介質(zhì)層；

有源區(qū)生成及處理步驟：在柵介質(zhì)層上生成一層具有高載流子濃度的金屬氧化物半導(dǎo)體層，對其進行處理形成包括源區(qū)、漏區(qū)以及溝道區(qū)的有源區(qū)，然后在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上涂光刻膠層，從所述襯底的背面以所述柵電極為掩膜進行曝光并顯影形成光刻膠圖形，對所述光刻膠圖形做相應(yīng)的處理，使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)露出，將所述溝道區(qū)在低于所述襯底所能承受的最高溫度的溫度范圍內(nèi)通過具有氧化功能的等離子體進行氧化處理；

電極引出步驟：生成源區(qū)、漏區(qū)和柵電極的電極引線。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有氧化功能的等離子體為氧等離子體。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源區(qū)生成及處理步驟中對所述金屬氧化物半導(dǎo)體層進行處理形成有源區(qū)之前，還包括對所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在無氧環(huán)境中進行熱處理。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述溝道區(qū)在25-180度的溫度下通過具有氧化功能的等離子體對其進行氧化處理。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成有源區(qū)的金屬氧化物半導(dǎo)體層上涂光刻膠層之前還包括：在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上生成一層介質(zhì)保護層，然后在該介質(zhì)保護層上涂所述光刻膠，并對其進行處理使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)露出。

6.如權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述光刻膠層為負性光刻膠層，生成所述光刻膠層之后對其處理的過程如下：從襯底的背面以所述柵電極為掩膜進行曝光并顯影形成光刻膠圖形，使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)露出。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述光刻膠層為負性光刻膠層，生成所述光刻膠層之后對其處理的過程如下：從襯底的背面以所述柵電極為掩膜進行曝光并顯影形成光刻膠圖形，然后以該光刻膠圖形為掩膜去除溝道區(qū)的介質(zhì)保護層，使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)露出。

8.如權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述光刻膠層為正性光刻膠層，生成所述光刻膠層之后對其處理的過程如下：從襯底的背面以所述柵電極為掩膜進行曝光并顯影形成光刻膠圖形，然后在其上表面生成一層介質(zhì)保護層，并對其進行處理使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)露出。

9.如權(quán)利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述光刻膠層為正性光刻膠層，生成所述光刻膠層之后對其處理的過程如下：從襯底的背面以所述柵電極為掩膜進行曝光并顯影形成光刻膠圖形，然后在其上表面生成一層金屬薄膜層，并對其進行處理使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)露出。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的材料為透明材料。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底為耐高溫透明襯底或者低溫透明襯底。