[發明專利]三氯硅烷制造裝置有效
| 申請號： | 201110020020.1 | 申請日： | 2011-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN102134079A | 公開（公告）日： | 2011-07-27 |
| 發明（設計）人： | 村上直也;齋木渉 | 申請（專利權）人： | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號： | C01B33/107 | 分類號： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 齊葵;王誠華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅烷 制造 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種由包含四氯化硅和氫氣的原料氣體制造三氯硅烷的裝置，其特征在于，具備：
大致筒狀的反應室，自下方被供給所述原料氣體而生成包含三氯硅烷和氯化氫等的反應氣體；多個加熱器，設置于所述反應室內并加熱所述原料氣體；及多個電極，連接于這些加熱器的下端且固定于所述反應室的底板，
各所述加熱器具有：一對非發熱部，固定于一對所述電極；及發熱部，安裝于這些非發熱部并被供給電力進行發熱，
所述發熱部具備：第1發熱體，為板狀且從各所述非發熱部向上方延伸并連接所述一對非發熱部之間；第2發熱體，為板狀且高度低于該第1發熱體，從各所述非發熱部向上方延伸并連接所述一對非發熱部之間。
2.如權利要求1所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，
所述第1發熱體和所述第2發熱體具有各不相同的截面積。
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