[發(fā)明專利]散熱板、半導體裝置和散熱板的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110009787.4
• 申請日: 2011-01-11
• 公開（公告）號: CN102593080A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 長瀨敏之;長友義幸;黑光祥郎
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48;H01L21/20;C23C24/04
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

1.一種散熱板，該散熱板用于擴散從所搭載的發(fā)熱體產(chǎn)生的熱，其特征在于，

該散熱板具備在碳質(zhì)部件中填充金屬材料的金屬基復合材料構(gòu)成的板主體和形成在該板主體的至少一側(cè)板面的金屬表層，

構(gòu)成所述板主體的金屬基復合材料通過在碳質(zhì)部件中含浸熔融的金屬材料而形成，

所述金屬表層通過使金屬粉末碰撞在所述板主體的所述板面而形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱板，其特征在于，所述金屬表層通過氣浮沉積法形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱板，其特征在于，所述金屬基復合材料構(gòu)成的板主體從室溫到200℃為止的熱膨脹系數(shù)設(shè)定為10×10^-6/℃以下、熱導率設(shè)定為190W/(m·K)以上、抗折強度設(shè)定為30MPa以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的散熱板，其特征在于，所述金屬基復合材料構(gòu)成的板主體從室溫到200℃為止的熱膨脹系數(shù)設(shè)定為10×10^-6/℃以下、熱導率設(shè)定為190W/(m·K)以上、抗折強度設(shè)定為30MPa以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4的任意一項所述的散熱板，其特征在于，構(gòu)成所述板主體的金屬基復合材料中所填充的金屬材料和構(gòu)成金屬表層的金屬材料互不相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的散熱板，其特征在于，構(gòu)成所述板主體的金屬基復合材料中所填充的金屬材料為Al-Si合金，構(gòu)成金屬表層的金屬材料為純度99.99％以上的純鋁。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的散熱板，其特征在于，構(gòu)成所述板主體的金屬基復合材料中所填充的金屬材料為鋁或鋁合金，構(gòu)成金屬表層的金屬材料為鎳。

8.一種半導體裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1～7的任意一項所述的散熱板和搭載在該散熱板上的半導體元件。

9.一種散熱板的制造方法，該制造方法為具有在碳質(zhì)部件中填充金屬材料的金屬基復合材料構(gòu)成的板主體，并在該板主體的至少一側(cè)板面形成金屬表層的散熱板的制造方法，

其特征在于，

該制造方法具備：形成由金屬基復合材料構(gòu)成的板主體的板主體形成工序，所述金屬基復合材料通過在碳質(zhì)部件中含浸熔融的金屬材料而形成；和

使金屬粉末碰撞在所述板主體的板面而形成金屬表層的金屬表層形成工序。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的散熱板的制造方法，其特征在于，在所述金屬表層形成工序中通過氣浮沉積法形成所述金屬表層。