[發明專利]一種調頻無線話筒無效
| 申請號: | 201110009785.5 | 申請日: | 2011-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN102158792A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 黃勇 | 申請(專利權)人: | 黃勇 |
| 主分類號: | H04R27/04 | 分類號: | H04R27/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 233000 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 調頻 無線 話筒 | ||
技術領域
本發明屬于電子技術應用領域,涉及一種調頻無線話筒。
背景技術
目前,常見的調頻無線話筒是通過改變高頻振蕩電路中晶體管的c-b間的結電容變化來改變高頻振蕩器的輸出頻率,從而實現對振蕩頻率的調制成調頻波,通過高頻選頻電路與放大電路,最后由天線向外輻射,這些是多數調頻無線話筒通用的工作原理。
本發明試用改進型電容三點式振蕩器,通過音頻電壓的變化而改變晶體管b-e間的結電容,從而使振蕩頻率的發生變化,實現振蕩頻率調制。這種振蕩器具有振蕩頻率穩定,很適合用于電視無線耳機、舞臺演出等保真度要求較高的信號傳輸。試驗證明:本發明全部使用普通分立元器件實現了調頻無線話筒電路結構簡單等技術要求。這種改進型的電容三點式振蕩器制作容易、制作成本低廉,有著振蕩工作頻率穩定、發射距離較遠、且耗電少的多種優點。
以下詳細說明這種調頻無線話筒制作涉及的相關技術。
發明內容
發明目的及有益效果:本發明試用改進型電容三點式振蕩器,通過音頻電壓的變化而改變晶體管的b-e間結電容,從而使振蕩頻率的發生變化,實現振蕩頻率調制。這種振蕩器具有振蕩頻率較穩定,很場合用于電視無線耳機等保真度的要求較高信號傳輸。試驗證明:本發明全部使用普通分立元器件實現了調頻無線話筒電路結構簡單,這種改進型的電容三點式振蕩器制作容易、制作成本低廉,有著振蕩工作頻率穩定、發射距離較遠、且耗電少的多種優點。
技術特征:調頻無線話筒,由直流電源(DC)、高頻濾波電路、音頻信號輸入電路、振蕩電路、射頻功率放大電路和發射天線(T)組成,其特征是:振蕩電路為改進型電容三點式振蕩器,改進型電容三點式振蕩器電路中的電感線圈L1的一端與電容C1的一端、電容C3的一端相連,電感線圈L1的另一端與電容C1的另一端接電路地(GND),電容C3的另一端與NPN型晶體管VT1的基極、電阻R1的一端、電阻R2的一端、電容C4的一端相連,電阻R1的另一端接直流電源的正極(VCC),電阻R2的另一端接電路地(GND),NPN型晶體管VT1的發射極同接電容C4的另一端、電容C5的一端、電容C7的一端和電阻R3的一端,電容C5的另一端和電阻R3的另一端同接電路地(GND),NPN型晶體管VT1的集電極接直流電源的正極(VCC)。
電路的組成及電路中元器件之間的連接關系
1.音頻信號輸入電路中的駐極體電容話筒的輸出端接電容C2的一端,電容C2的另一端接NPN型晶體管VT1的基極,駐極體電容話筒的殼體端接電路地(GND)。
2.射頻功率放大電路:NPN型晶體管VT2、電容C7、電阻R4、電感線圈L2、電容C8、電容C9和發射天線(T)組成,其特征是:NPN型晶體管VT2的基極同接電容C7的另一端、電阻R4的一端,NPN型晶體管VT2的集電極與電阻R4的另一端、電感線圈L2的一端、電容C8的一端、電容C9的一端相連,電感線圈L2的另一端和電容C8的另一端同接直流電源的正極(VCC),電容C9的另一端接發射天線(T),NPN型晶體管VT2的發射極接電路地(GND)。
電路工作原理
調頻無線話筒的電路主要有音頻信號輸入、振蕩電路、高頻放大和射頻功率放大四部分。電感線圈L1、電容C1、電容C3~C5、晶體管VT1等組成改進型電容三點式振蕩器,該振蕩電路具有不易跑頻的特點。
振蕩器的頻率主要由電感線圈L1和電容C1決定,通過微調電感線圈L1,可以覆蓋88~108MHz頻率范圍。電容話筒(MIC)產生的音頻信號經電容C2耦合至在晶體管VT1的基極,在晶體管VT1的b-e間的結電容隨著輸入音頻電壓的變化而引起振蕩頻率的變化,實現對振蕩頻率調制,調制后的信號再經過晶體管VT2進行射頻功率放大,最后由天線向外輻射。
附圖說明
1.附圖是的調頻無線話筒電路工作原理圖。
2.附圖中的MIC是兩接點的駐極體話筒,話筒的殼體接電路地。
具體實施方式
按照說明書附圖所示的調頻無線話筒工作原理圖和附圖說明及以下所述的元器件技術要求和調試方法進行實施,即可實現本發明。
元器件的選擇及其技術參數
1.MIC為話筒,選用有兩個接點的駐極體電容話筒,要求電容話筒的殼體接電路地,以通過電路的抗干擾性。
2.晶體管VT1~VT2選用NPN型2SC9018中功率晶體管,β要求≥100。
3.電阻全部選用功率為1/8W金屬膜電阻或碳膜電阻,電阻R1~R3的阻值為:10KΩ、5.6KΩ、150Ω;電阻R4的阻值為22KΩ。
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