[發明專利]紫外光感測顯示裝置有效
| 申請號: | 201110009706.0 | 申請日: | 2011-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN102163640A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發明(設計)人: | 謝信弘 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/10 | 分類號: | H01L31/10;G01J1/42;H01L25/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紫外光 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及半導體技術,特別涉及一種紫外光感測顯示裝置。
背景技術
近年來,由于休閑風潮的盛行,使得世界各國的人們競相走出戶外從事休閑活動以維護身體的健康。并且,隨著科技日新月異,在戶外從事休閑活動時,可使用便攜式顯示裝置來處理事情。但是,環境的污染造成臭氧層破裂,使有害人體的紫外光得以長驅直入,容易讓人發生皮膚病變。因此,能夠提醒人們做足防曬準備的紫外光強度的感測裝置便顯得日趨重要。
發明內容
本發明的目的在于提供一種紫外光感測顯示裝置,以感測出一定照射量的紫外光強度。
為達上述的目的,本發明提供一種紫外光感測顯示裝置,設置于一基板上,用于檢測一紫外光。紫外光感測顯示裝置包括一第一開關晶體管、一第一光敏晶體管、一第一電容、一第一發光二極管、一第二開關晶體管、一第二光敏晶體管、一第二電容以及一第二發光二極管。第一開關晶體管具有一第一源極、一第一漏極與一第一柵極。第一光敏晶體管具有一第二源極、一第二漏極與一第二柵極,且第二柵極電性連接至第一漏極。第一電容電性連接于第一漏極與第二源極之間。第一發光二極管具有一第一陽極與一第一陰極,且用于產生一第一顏色的光線。第一陽極電性連接至第二漏極,且第一陰極與第二源極分別電性連接于一第一電壓源與一第二電壓源。第二開關晶體管具有一第三源極、一第三漏極與一第三柵極。第二光敏晶體管具有一第四源極、一第四漏極與一第四柵極,且第四柵極電性連接至第三漏極。當紫外光持續照射第一光敏晶體管與第二光敏晶體管時,第一光敏晶體管較第二光敏晶體管快開啟。第二電容電性連接于第三漏極與該第四源極之間。第二發光二極管具有一第二陽極與一第二陰極,且用于產生一不同于第一顏色的第二顏色的光線。第二陽極電性連接至第四漏極,且第二陰極與第四源極分別電性連接于第一電壓源與第二電壓源。
所述的紫外光感測顯示裝置,還包括:
一第三開關晶體管,具有一第五源極、一第五漏極與一第五柵極;
一第三光敏晶體管,具有一第六源極、一第六漏極與一第六柵極,且該第六柵極電性連接至該第五漏極;
一第三電容,電性連接于該第五漏極與該第六源極之間;以及
一第三發光二極管,具有一第三陽極與一第三陰極,且用于產生一不同于該第一顏色與該第二顏色的第三顏色的光線,其中該第三陽極電性連接至該第六漏極,且該第三陰極與該第六源極分別電性連接于該第一電壓源與該第二電壓源。
當該紫外光持續照射該第一光敏晶體管、該第二光敏晶體管以及該第三光敏晶體管時,該第一光敏晶體管與該第二光敏晶體管較該第三光敏晶體管快開啟。
該第一開關晶體管的該第一柵極與該第二開關晶體管的該第二柵極電性連接至一掃描線。
該第一開關晶體管的該第一源極與該第二開關晶體管的該第二源極電性連接至一數據線。
該第一光敏晶體管包括:
一第一柵極電極層,設于該基板上,且作為該第二柵極;
一絕緣層,覆蓋于該第一柵極電極層與該基板上;
一第一漏極電極層,設于該絕緣層上,且作為該第二漏極;
一第一源極電極層,設于該絕緣層上,且作為該第二源極;以及
一第一氧化物半導體層,設于該第一漏極電極層與該第一源極電極層間的該絕緣層上,且該第一氧化物半導體層具有一第一通道區與一第一電阻區,其中該第一通道區為該第一氧化物半導體層與該第一柵極電極層重疊的一部分,且該第一電阻區為該第一氧化物半導體層未與該第一柵極電極層重疊的另一部分。
該第二光敏晶體管包括:
一第二柵極電極層,設于該基板上,且作為該第四柵極,其中該絕緣層覆蓋于該第二柵極電極層與該基板上;
一第二漏極電極層,設于該絕緣層上,且作為該第四漏極;
一第二源極電極層,設于該絕緣層上,且作為該第四源極;以及
一第二氧化物半導體層,設于該第二漏極電極層與該第二源極電極層間的該絕緣層上,且該第二氧化物半導體層具有一與該第二柵極電極層重疊的一部分的第二通道區以及一未與該第二柵極電極層重疊的另一部分的第二電阻區,其中該第一電阻區位于該第一漏極電極層與該第一源極電極層間的長度小于該第二電阻區位于該第二漏極電極層與該第二源極電極層間的長度,使該第一光敏晶體管較該第二光敏晶體管快開啟。
該第一氧化物半導體層延伸至該第一漏極電極層與該第一源極電極層上。
該第一光敏晶體管另包括一蝕刻停止層,覆蓋于該第一氧化物半導體層上。
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





