[發明專利]斜錐狀凸塊結構

有效

• 申請號: 201110009625.0
• 申請日: 2011-01-11
• 公開（公告）號: CN102593068A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 巫志弘;何榮華;郭志明;施政宏;邱奕釧
• 申請（專利權）人: 頎邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種斜錐狀凸塊結構，其設置于一載體上，該載體具有多個焊墊及一保護層，該保護層具有多個開口，且上述開口顯露出上述焊墊，該斜錐狀凸塊結構與該焊墊電性連接，其特征在于包含有：

一導電塊，其具有一側面及一頂面，該導電塊設置于該載體的該焊墊上；以及

一斜錐狀絕緣層，其包覆于該導電塊的該側面，該斜錐狀絕緣層具有一鄰近該載體的底部及一在該底部上方的頂部，其中該斜錐狀絕緣層的外徑由該底部向該頂部逐漸縮小。

2.如權利要求1所述的斜錐狀凸塊結構，其特征在于該導電塊包含有一導電本體及一凸塊下金屬層，該導電塊以該凸塊下金屬層與該焊墊電性連接，該凸塊下金屬層具有一第一環壁，該斜錐狀絕緣層包覆該凸塊下金屬層的該第一環壁。

3.如權利要求2所述的斜錐狀凸塊結構，其特征在于該導電塊另包含有一導接層，該導電本體位于該凸塊下金屬層與該導接層之間。

4.如權利要求3所述的斜錐狀凸塊結構，其特征在于該導接層具有一第二環壁，該斜錐狀絕緣層包覆該導接層的該第二環壁。

5.如權利要求2所述的斜錐狀凸塊結構，其特征在于該導電本體的材質為銅。

6.如權利要求4所述的斜錐狀凸塊結構，其特征在于該導接層具有一鎳層及一金層，該鎳層位于該導電本體及該金層之間。

7.如權利要求4所述的斜錐狀凸塊結構，其特征在于該斜錐狀絕緣層顯露出該金層。

8.如權利要求2所述的斜錐狀凸塊結構，其特征在于該斜錐狀絕緣層包含一氧化層及一氮化層，該氧化層位于該導電塊與該氮化層之間。