[發(fā)明專利]雙極互補金屬氧化半導體器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110009216.0
• 申請日: 2011-01-17
• 公開（公告）號: CN102122659A
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫濤
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/8249
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種雙極互補金屬氧化半導體器件，其特征在于：包括橫向擴散金屬氧化物半導體器件和雙極晶體管器件，所述雙極晶體管器件包括用于形成集電極的導電型阱，所述橫向擴散金屬氧化物半導體器件包括襯底和形成于所述襯底內(nèi)的漂移區(qū)，所述漂移區(qū)的摻雜濃度與所述導電型阱同時形成，其摻雜濃度一致。

2.如權(quán)利要求1所述的雙極互補金屬氧化半導體器件，其特征在于，所述雙極互補金屬氧化半導體器件為硅鍺雙極互補金屬氧化半導體器件。

3.如權(quán)利要求1所述的雙極互補金屬氧化半導體器件，其特征在于，所述漂移區(qū)與所述導電型阱的摻雜數(shù)量級為1e16-1e17。

4.如權(quán)利要求1所述的雙極互補金屬氧化半導體器件，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物半導體器件還包括形成于所述漂移區(qū)的隔離溝槽和漏極擴散區(qū)。

5.如權(quán)利要求4所述的雙極互補金屬氧化半導體器件，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物半導體器件還包括形成于所述襯底的源極擴散區(qū)，所述源極擴散區(qū)和所述漏極擴散區(qū)形成于所述隔離溝槽的兩側(cè)。

6.如權(quán)利要求4所述的雙極互補金屬氧化半導體器件，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物半導體器件還包括形成于所述漂移區(qū)的P型阱、以及形成于所述P型阱的源極擴散區(qū)，所述源極擴散區(qū)和所述漏極擴散區(qū)形成于所述隔離溝槽的兩側(cè)。

7.如權(quán)利要求1到6中任意一項所述的雙極互補金屬氧化半導體器件，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物半導體器件還包括形成于所述襯底表面的氧化層和柵極。

8.如權(quán)利要求1到6中任意一項所述的雙極互補金屬氧化半導體器件，其特征在于，所述雙極晶體管器件是NPN型雙極晶體管器件。

9.一種雙極互補金屬氧化半導體器件的制備方法，其特征在于，所述雙極互補金屬氧化半導體器件包括橫向擴散金屬氧化物半導體器件和雙極晶體管器件，所述雙極互補金屬氧化半導體器件的制備方法包括如下步驟：

形成襯底；

在所述襯底上同步形成所述雙極晶體管器件的集電極導電型阱和所述橫向擴散金屬氧化物半導體器件的漂移區(qū)。

10.如權(quán)利要求9所述的雙極互補金屬氧化半導體器件的制備方法，其特征在于，所述集電極導電型阱和所述漂移區(qū)通過離子注入的方法形成。