[發(fā)明專利]異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的形成方法及其異質(zhì)結(jié)雙極晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110009114.9
• 申請日: 2011-01-17
• 公開（公告）號: CN102110606A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳樂樂;孫濤
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/737;H01L29/06;H01L29/10
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種形成帶抬高非本征基區(qū)的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)在P型襯底上形成N+注入?yún)^(qū)以作為集電區(qū)；

(b)在所述襯底的表面形成第一異質(zhì)外延層以作為本征基區(qū)；

(c)在所述本征基區(qū)上形成N+注入?yún)^(qū)域以作為發(fā)射區(qū)；

(d)在所述發(fā)射區(qū)的兩側(cè)形成多晶硅柵；

(e)在所述多晶硅柵上形成第二異質(zhì)外延層以作為抬高的非本征基區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(a)包括首先在所述襯底上形成N阱，并且在所述N阱中形成所述N+注入?yún)^(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一異質(zhì)外延層和第二異質(zhì)外延層均為SiGe外延層。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述襯底中形成N注入?yún)^(qū)，并且所述SiGe外延層形成在所述N注入?yún)^(qū)之上。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述襯底上形成淺溝槽隔離區(qū)以對所述N阱與所述N+區(qū)域進(jìn)行隔離，并且所述SiGe外延層形成在所述淺溝槽隔離區(qū)之上。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，通過在所述淺溝槽隔離區(qū)上設(shè)置柵極掩模而形成所述多晶硅柵。

7.一種帶有抬高非本征基區(qū)的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于，包括形成在襯底上的集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)，其中所述基區(qū)包括形成在所述發(fā)射區(qū)之下的本征基區(qū)，以及所述發(fā)射極兩側(cè)的非本征基區(qū)，并且其中所述非本征基區(qū)形成在所述發(fā)射區(qū)兩側(cè)的多晶硅柵之上。

8.如權(quán)利要求7所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于，所述集電區(qū)為N+注入?yún)^(qū)，并且所述N+注入?yún)^(qū)形成在所述襯底上的N阱中。

9.如權(quán)利要求8所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于，所述基區(qū)由SiGe外延層形成。

10.如權(quán)利要求9所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于，所述SiGe外延層形成在所述襯底中形成的N注入?yún)^(qū)之上。

11.如權(quán)利要求10所述的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其特征在于，所述襯底上設(shè)有淺溝槽隔離區(qū)以對所述N阱與所述N+區(qū)域進(jìn)行隔離，并且所述多晶硅柵形成在所述淺溝槽隔離區(qū)之上。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述多晶硅柵通過在所述淺溝槽隔離區(qū)上設(shè)置柵極掩模而形成。