[發明專利]P型MOS存儲單元有效
| 申請號： | 201110009103.0 | 申請日： | 2011-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN102122662A | 公開（公告）日： | 2011-07-13 |
| 發明（設計）人： | 董耀旗;胡劍;李榮林;宗登剛;徐愛斌 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/115 | 分類號： | H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423;G11C16/04 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 存儲 單元 | ||
1.一種P型MOS存儲單元，其特征在于包括：
在襯底中依次布置的源極有源區、柵極有源區、以及漏極有源區；
在從源極有源區至漏極有源區的方向上，在襯底上依次布置第一浮柵極、選擇柵極、以及第二浮柵極；
布置在第一浮柵極上的第一控制柵極；以及
布置在第二浮柵極上的第二控制柵極。
2.根據權利要求1所述的P型MOS存儲單元，其特征在于，其中第一浮柵極、第一控制柵極、選擇柵極、第二浮柵極以及第二控制柵極布置在所述柵極有源區上方。
3.根據權利要求1或2所述的P型MOS存儲單元，其特征在于，其中所述源極有源區與存儲器的第一位線電連接。
4.根據權利要求1或2所述的P型MOS存儲單元，其特征在于，其中所述漏極有源區與存儲器的第二位線電連接。
5.根據權利要求1或2所述的P型MOS存儲單元，其特征在于，其中所述第一控制柵極與存儲器的第一字線電連接。
6.根據權利要求1或2所述的P型MOS存儲單元，其特征在于，其中所述第二控制柵極與存儲器的第二字線電連接。
7.根據權利要求1或2所述的P型MOS存儲單元，其特征在于，其中所述源極有源區為P型摻雜的區域，所述柵極有源區為N型摻雜的區域，以及所述漏極有源區為P型摻雜的區域。
8.根據權利要求1或2所述的P型MOS存儲單元，其特征在于，其中所述襯底為P型襯底，并且源極有源區、柵極有源區、以及漏極有源區被布置在所述P型襯底中的N阱中。
9.根據權利要求1或2所述的P型MOS存儲單元，其特征在于，其中所述襯底為N型襯底。
10.根據權利要求1或2所述的P型MOS存儲單元，其特征在于，其中所述P型MOS存儲單元被用于閃存存儲器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
