[發(fā)明專利]磊晶基板、使用該磊晶基板之半導體發(fā)光元件及其制程

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110007782.8
• 申請日: 2011-01-02
• 公開（公告）號: CN102569025A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設計）人: 錢俊逸;簡宏吉;楊昆霖;徐文慶
• 申請（專利權）人: 昆山中辰矽晶有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20;H01L29/06;H01L33/02;H01L33/20;H01L33/00
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1.一種制造一磊晶基板之方法，包含下列步驟：

制備一晶體基板，該晶體基板系由一第一材料所形成并且具有一晶體表面；

于該晶體基板之該晶體表面上，沉積由一第二材料所形成之一多晶材料層，該第二材料不同于該第一材料；

籍由一濕式蝕刻制程，蝕刻該多晶材料層之晶界進而獲得該第二材料之多個納米級柱體；

進行一氧化程序，致使由該第二材料形成的多個納米級柱體轉變?yōu)橛傻诙牧系难趸镄纬傻亩鄠€納米級柱體，以獲得該磊晶基板。

2.如權利要求1所述之方法，其中該第一材料系選自由藍寶石(sapphire)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZnO)、硅(Si)、ScAlMgO4、SrCu2O2、YSZ(Yttria-Stabilized?Zirconia)、鋁酸鋰(Lithium?Aluminum?Oxide，LiAlO2)、鎵酸鋰(Lithium?Gallium?Oxide，LiGaO2)、硅酸鋰(Lithium?Silicon?Oxide，Li2SiO3)、鍺酸鋰(Lithium?Germanium?Oxide，LiGeO3)、鋁酸鈉(Sodium?Aluminum?Oxide，NaAlO2)、鎵酸鈉(Sodium?Gallium?Oxide，NaGaO2)、鍺酸鈉(Sodium?Germanium?Oxide，Na2GeO3)、硅酸鈉(Sodium?silicon?Oxide，Na2SiO3)、磷酸鋰(Lithium?Phosphor?Oxide，Li3PO4)、砷酸鈉(Lithium?Arsenic?Oxide，Li3AsO4)、釩酸鈉(Lithium?Vanadium?Oxide，Li3VO4)、Li2MgGeO4(Lithium?Magnesium?Germanium?Oxide)、Li2ZnGeO4(Lithium?Zinc?Germanium?Oxide)、Li2CdGeO4(Lithium?Cadmium?Germanium?Oxide)、Li2MgSiO4(Lithium?Magnesium?Silicon?Oxide)、Li2ZnSiO4(Lithium?Zinc?Silicon?Oxide)、Li2CdSiO4(Lithium?Cadmium?Silicon?Oxide)、Na2MgGeO4(Sodium?Magnesium?Germanium?Oxide)、Na2ZnGeO4(Sodium?Zinc?Germanium?Oxide)、NaZnSiO4(Sodium?Zinc?Silicon?Oxide)所組成之一群組中之其一；該第二材料系選自由鍺(Ge)、氧化鋅(ZnO)、硫化鋅(ZnS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎘(CdS)、硒化鋅(ZnSe)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、硅(Si)或金屬/硅化物(metal/silicide)所組成之一群組中之其一。

3.如權利要求1所述之方法，其中該磊晶基板之表面其平均表面粗糙鍍Ra值范圍從0.1nm至100nm，該磊晶基板至表面其平均峰谷高度Rz值范圍從9nm至999nm。

4.如權利要求1所述至方法，其中該多晶材料層系籍由選自有一低壓化學氣相沉積制程、一電漿輔助化學氣相沉積制程、一濺鍍制程以及一熱蒸鍍制程沉積于該晶體基板之該晶體表面上。并且該多晶材料層具有范圍從20nm至2000nm之厚度。

5.如權利要求1所述的磊晶基板，包含：

一晶體基板，該晶體基板系由一第一材料所形成并且具有一晶體表面；

多個納米級柱體，該多個納米級柱體系由一第二材料的氧化物所形成并且散亂地排列于該晶體基板之該晶體表面上，該第二材料不同于該第一材料。