[發明專利]使用高介電常數柵介質的耐壓器件

無效

• 申請號: 201110007009.1
• 申請日: 2011-01-13
• 公開（公告）號: CN102122666A
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發明（設計）人: 李平;李俊宏;霍偉榮;張國俊
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/51
• 分類號: H01L29/51
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所 51215
• 代理人: 劉勛

1.使用高介電常數柵介質的耐壓器件，包括襯底(1)，外延區(2)，源極注入區(3)，溝道注入區(4)，漏極注入區(5)，漂移區(6)，柵極(8)，P+注入區(10)，源極(11)，漏極(12)，源極注入區(3)，溝道注入區(4)，漏極注入區(5)，漂移區(6)，P+注入區(10)構成第一層，其特征在于，還包括由高介電常數介質層(7)和SiO₂緩沖層(9)構成的復合介質層，柵極(8)、漏極(12)和源極(11)位于復合介質層的上方，漏極(12)和源極(11)各自通過復合介質層的小孔連接至復合介質層下方的注入區，SiO₂緩沖層(9)均勻覆蓋于第一層上方，厚度均勻的高介電常數介質層(7)位于SiO₂緩沖層(9)上方。

2.如權利要求1所述的使用高介電常數柵介質的耐壓器件，其特征在于，所述高介電常數介質層(7)的介電常數大于100。

3.如權利要求1所述的使用高介電常數柵介質的耐壓器件，其特征在于，所述高介電常數介質層(7)的材料為PZT、BST或BSN。