[發明專利]薄膜晶體管、其制造方法和具有該薄膜晶體管的顯示設備

有效

• 申請號: 201110006612.8
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號: CN102194886A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 盧成仁;樸志容;樸慶珉;樸真爽;姜聲洲
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 羅正云;王琦

1.一種薄膜晶體管，包括：

半導體層，形成在基板上；

柵極絕緣層，形成在包括所述半導體層的基板上；

柵電極，形成在所述半導體層上方的所述柵極絕緣層上；

源電極和漏電極，連接到所述半導體層；以及

3.5至4.5個突起，提供在與所述柵電極交疊的半導體層上。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層由多晶硅制成。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述突起按規則間隔布置。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其中所述突起之間的規則間隔在2μm至3μm的范圍內。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述突起以帶形形成在所述半導體層的表面上。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述突起被布置為垂直于所述半導體層的縱向。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述半導體層通過連續側向結晶被結晶，并且所述突起通過所述結晶來形成。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，進一步包括：絕緣層，形成在包括所述柵電極的柵極絕緣層上；

其中所述源電極和所述漏電極通過形成在所述絕緣層和所述柵極絕緣層中的接觸孔連接到所述半導體層。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，進一步包括：緩沖層，形成在所述基板與所述半導體層之間。

10.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述柵電極被分成兩個柵電極，所述半導體層與這兩個柵電極交疊，并且包括3.5至4.5個突起。

11.一種制造薄膜晶體管的方法，包括：

在基板上形成非晶半導體層；

使所述非晶半導體層結晶；

在通過結晶步驟形成有突起的所述非晶半導體層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵電極；以及

形成連接到所述非晶半導體層的源電極和漏電極；

其中所述柵電極與3.5至4.5個突起交疊。

12.根據權利要求11所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述非晶半導體層由非晶硅制成。

13.根據權利要求11所述的制造薄膜晶體管的方法，其中使所述非晶半導體層結晶通過連續側向結晶來實現。

14.根據權利要求11所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述突起按規則間隔布置。

15.根據權利要求14所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述突起之間的規則間隔在2μm至3μm的范圍內。

16.根據權利要求11所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述突起以帶形形成在所述非晶半導體層的表面上。

17.根據權利要求11所述的制造薄膜晶體管的方法，其中所述突起被布置為垂直于所述非晶半導體層的縱向。

18.根據權利要求11的制造薄膜晶體管的方法，進一步包括：

在包括所述柵電極的柵極絕緣層上形成絕緣層；以及

通過圖案化所述絕緣層和所述柵極絕緣層形成接觸孔以暴露所述非晶半導體層；

其中所述源電極和所述漏電極通過所述接觸孔連接到所述非晶半導體層。

19.一種顯示設備，包括：

第一基板，薄膜晶體管和連接到所述薄膜晶體管的第一電極形成在所述第一基板上；

第二基板，第二電極形成在所述第二基板上；以及

液晶層，注入所述第一電極和所述第二電極之間的密封空間中；

其中所述薄膜晶體管包括：

半導體層，形成在所述第一基板上；

柵極絕緣層，形成在包括所述半導體層的所述第一基板上；

柵電極，形成在所述半導體層上方的所述柵極絕緣層上；

源電極和漏電極，連接到所述半導體層；以及

3.5至4.5個突起，形成在與所述柵電極交疊的所述半導體層上。

20.根據權利要求19所述的顯示設備，進一步包括：形成在所述第一基板上的柵極線和數據線，其中像素由所述柵極線和所述數據線來限定。

21.根據權利要求19所述的顯示設備，其中所述半導體層由多晶硅制成。