[發(fā)明專利]電位轉(zhuǎn)換電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110006563.8
• 申請(qǐng)日: 2011-01-13
• 公開（公告）號(hào): CN102075176A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李永勝;朱光達(dá)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 威盛電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/0185
• 分類號(hào): H03K19/0185
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 錢大勇

1.一種電位轉(zhuǎn)換電路，用以將操作于一第一電位區(qū)間內(nèi)的一輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成操作于一第二電位區(qū)間內(nèi)的一輸出信號(hào)，該電位轉(zhuǎn)換電路包括：

一漏電流阻絕電路，具有一輸入端耦接該輸入信號(hào)且具有一輸出端耦接該輸出信號(hào)，其中該漏電流阻絕電路包括：

多級(jí)P溝道晶體管，其中每一級(jí)上述P溝道晶體管的源極耦接其下一級(jí)上述P溝道晶體管的柵極，第一級(jí)上述P溝道晶體管的柵極耦接該輸入信號(hào)，最后一級(jí)上述P溝道晶體管的源極耦接一電源，且最后一級(jí)上述P溝道晶體管的漏極耦接該漏電流阻絕電路的該輸出端；以及

一N溝道晶體管，具有一柵極耦接該輸入信號(hào)、一源極耦接一低電平電位、以及一漏極耦接該漏電流阻絕電路的該輸出端。

2.如權(quán)利要求1所述的電位轉(zhuǎn)換電路，還包括：

一反相器，由該電源供電，且具有一輸入端耦接該漏電流阻絕電路的該輸出端，且具有一輸出端供應(yīng)上述輸出信號(hào)。

3.如權(quán)利要求1所述的電位轉(zhuǎn)換電路，其中，該漏電流阻絕電路的上述多級(jí)P溝道晶體管中，除了最后一級(jí)以外的每一級(jí)P溝道晶體管的漏極耦接該低電平電位。

4.如權(quán)利要求1所述的電位轉(zhuǎn)換電路，其中該電源決定該第二電位區(qū)間。

5.如權(quán)利要求1所述的電位轉(zhuǎn)換電路，其中該第二電位區(qū)間的電位高于該第一電位區(qū)間的電位。

6.如權(quán)利要求1所述的電位轉(zhuǎn)換電路，其中該低電平電位為地端電位。

7.一種電位轉(zhuǎn)換電路，用以將操作于一第一電位區(qū)間的一輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成操作于一第二電位區(qū)間的一輸出信號(hào)，該電位轉(zhuǎn)換電路包括：

一第一P溝道晶體管，具有一柵極耦接該輸入信號(hào)、一漏極耦接一低電平電位、以及一源極；

一第二P溝道晶體管，具有一柵極耦接該第一P溝道晶體管的上述源極、一源極耦接一電源、以及一漏極；以及

一N溝道晶體管，具有一柵極耦接該輸入信號(hào)、一漏極耦接該第二P溝道晶體管的上述漏極、以及一源極耦接該低電平電位，

其中該第二P溝道晶體管的上述漏極以及該N溝道晶體管的上述漏極耦接該輸出信號(hào)。

8.如權(quán)利要求7所述的電位轉(zhuǎn)換電路，還包括：

一反相器，由該電源供電，且具有一輸入端耦接該第二P溝道晶體管的上述漏極以及該N溝道晶體管的上述漏極，且具有一輸出端供應(yīng)上述輸出信號(hào)。

9.如權(quán)利要求7所述的電位轉(zhuǎn)換電路，其中該電源決定該第二電位區(qū)間。

10.如權(quán)利要求7所述的電位轉(zhuǎn)換電路，其中該第二電位區(qū)間的電位高于該第一電位區(qū)間的電位。

11.如權(quán)利要求7所述的電位轉(zhuǎn)換電路，其中該低電平電位為地端電位。