[發明專利]摻雜劑源及其制造方法

有效

• 申請號: 201110006524.8
• 申請日: 2008-10-28
• 公開（公告）號: CN102176412A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發明（設計）人: 馬屋原芳夫;鈴木良太;西川欣克;池邊勝;森弘樹;長谷川義德
• 申請（專利權）人: 日本電氣硝子株式會社
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;C03C12/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體用硼摻雜材料的制造方法，其特征在于，包括：

使含有含硼結晶性玻璃粉末的原料粉末漿料化的工序；

使得到的漿料成型，得到生片的工序；和

對生片進行燒結的工序。

2.如權利要求1所述的半導體用硼摻雜材料的制造方法，其特征在于：

疊層生片并進行燒結。

3.如權利要求1或2所述的半導體用硼摻雜材料的制造方法，其特征在于：

含硼結晶性玻璃粉末的平均粒徑D₅₀為0.1～10μm。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體用硼摻雜材料的制造方法，其特征在于：

含硼結晶性玻璃粉末含有15～45質量％的B₂O₃作為玻璃組成。

5.如權利要求1～4中任一項所述的半導體用硼摻雜材料的制造方法，其特征在于：

含硼結晶性玻璃粉末是B₂O₃-SiO₂-Al₂O₃系玻璃或B₂O₃-Al₂O₃-BaO系玻璃。

6.如權利要求1～5中任一項所述的半導體用硼摻雜材料的制造方法，其特征在于：

原料粉末含有1～60質量％的氧化鋁粉末。

7.如權利要求1～6中任一項所述的半導體用硼摻雜材料的制造方法，其特征在于：

生片的厚度為30～1500μm。

8.如權利要求1～7中任一項所述的半導體用硼摻雜材料的制造方法，其特征在于：

漿料的粘度為1～50Pa·s。

9.如權利要求2～8中任一項所述的半導體用硼摻雜材料的制造方法，其特征在于：

疊層含有不同成分的兩種以上的生片。

10.如權利要求2～9中任一項所述的半導體用硼摻雜材料的制造方法，其特征在于：

進一步疊層由氧化鋁粉末構成的生片。

11.一種半導體用硼摻雜材料，其特征在于：

采用權利要求1～10中任一項所述的制造方法制造而成。

12.一種半導體用硼摻雜材料，其為具有由多個無機粉末燒結體層構成的疊層體結構的半導體用硼摻雜材料，其特征在于：

無機粉末燒結體層的一部分或全部由含有含硼結晶性玻璃粉末的無機粉末的燒結體構成。

13.如權利要求11或12所述的半導體用硼摻雜材料，其特征在于：

厚度為0.5～10mm、直徑為50～300mm。