[發(fā)明專利]微細結構的光刻方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110006476.2 | 申請日： | 2011-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN102591139A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王紅麗;閆江 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;G03F1/20;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京藍智輝煌知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微細 結構 光刻 方法 | ||
1.一種光刻方法，包括：
在襯底上形成結構材料層和第一硬掩模材料層；
進行第一曝光和第一刻蝕，形成第一硬掩模圖形；
在所述第一硬掩模圖形上形成第二硬掩模材料層；
進行第二曝光和第二刻蝕，形成第二硬掩模圖形。
2.如權利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一硬掩模材料層和所述第二硬掩模材料層的材質(zhì)不同。
3.如權利要求2所述的光刻方法，其中，所述第一硬掩模材料層和所述第二硬掩模材料層的材質(zhì)選自氮化硅和二氧化硅兩者之一。
4.如權利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一硬掩模圖形和所述第二硬掩模圖形寬度不同。
5.如權利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一曝光和所述第二曝光的光源不同。
6.如權利要求5所述的光刻方法，其中，所述第一曝光和所述第二曝光的光源選自i線水銀弧光燈和電子束曝光系統(tǒng)兩者之一。
7.如權利要求1所述光刻方法，其中，所述第二硬掩模材料層厚度大于所述第一硬掩模材料層厚度。
8.如權利要求1所述的光刻方法，其中，在形成所述第二硬掩模圖形之后，對結構材料層進行第三刻蝕以形成最終結構。
9.如權利要求1或8所述的光刻方法，其中，所述第一刻蝕、第二刻蝕或第三刻蝕是RIE刻蝕或ICP刻蝕。
10.如權利要求1所述的光刻方法，其中，在形成所述第二硬掩模材料層之后對所述第二硬掩模材料層進行平坦化直至露出所述第一硬掩模圖形。
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